[发明专利]一种天线调谐开关及提高其峰值电压的方法

权利要求书

1.一种天线调谐开关，其特征在于，至少包括：

N个依次串联的晶体管；所述N个依次串联的晶体管包括第一至第N晶体管；所述第一晶体管中未与所述第二晶体管连接的源漏一端作为所述天线调谐开关的信号输入端，所述第N晶体管未与所述第N-1晶体管连接的源漏一端作为所述天线调谐开关的信号输出端；所述第一至第N晶体管中，相邻晶体管之间的宽度关系为：其中Wn+1为第N个晶体管的宽度，Wn为第N-1个晶体管的宽度；

所述第一至第N晶体管的栅极分别连接一个第一电阻的一端；所述每个第一电阻的另一端共同连接至第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端作为栅控制端连接栅电压VG；

所述第一至第N晶体管的源漏两端分别连接一第三电阻；所述第一至第N晶体管的基极分别连接一第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端共同连接至第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端作为衬底控制端连接电压VB。

2.根据权利要求1所述的天线调谐开关，其特征在于：所述第一至第N晶体管为相同类型的MOS管。

3.根据权利要求2所述的天线调谐开关，其特征在于：所述第一至第N晶体管为相同尺寸的NMOS管。

4.根据权利要求2所述的天线调谐开关，其特征在于：所述第一至第N晶体管为相同尺寸的PMOS管。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的天线调谐开关的峰值电压的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

步骤一、将所述天线调谐开关的电路进行简化等效形成第一电路模型，所述第一电路模型至少包括：

N个依次串联且大小相等的源漏电容Cds，所述每个源漏电容Cds为所述天线调谐开关电路的第一至第N晶体管中每个晶体管源漏之间的电容；所述N个依次串联的源漏电容Cds形成的串联电路的首尾端分别作为所述第一电路模型的信号输入端和信号输出端，并且所述N个源漏电容Cds从所述信号输出端至所述信号输入端依次分别形成第一级堆栈至第N级堆栈；

所述第一级堆栈至第N级堆栈中的每一级堆栈的所述源漏电容Cds的两端分别连接一个大小相等的对地电容Cgnd，所述对地电容Cgnd为所述天线调谐开关电路中每个晶体管产生的寄生对地电容；

步骤二、利用步骤一中每一级堆栈中相同的源漏电容Cds将所述第一电路模型简化等效为每一级堆栈中源漏电容大小不同的第二电路模型，以使所述第二电路模型中每一级堆栈均匀分压；所述第二电路模型至少包括：N级堆栈，所述N级堆栈包括n+1个依次串联的等效源漏电容，并且n+1＝N；所述N级堆栈中第N级堆栈的等效源漏电容其中Cdsn为第N-1级堆栈的等效源漏电容；所述第二电路模型中的第N级堆栈和第N-1堆栈中的所述等效源漏电容之间还连接有第N级堆栈的所述晶体管的寄生对地电容Cgnd(n+1)；其中