[发明专利]基板保持装置及弹性膜

说明书

本发明提供一种用于适当地处理基板的基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法和压力控制方法。一种基板吸附方法，使基板吸附于顶环，该基板吸附方法包括：抽真空工序，在基板的下表面支承于支承部件、基板的上表面与弹性膜的下表面接触的状态下，对在弹性膜的上表面与顶环主体之间呈同心圆状形成的多个区域中的至少一个区域进行抽真空；流量计测工序，对相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域内的气体的流量进行计测；判定工序，基于气体的流量对基板是否已吸附到顶环进行判定；分离工序，在判定为基板吸附到顶环之后，使吸附有基板的弹性膜与支承部件分离。

本申请为下述申请的分案申请：

原申请的申请日：2016年8月18日

原申请的申请号：201610688808.2

原申请的发明名称：基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法以及压力控制方法

技术领域

本发明涉及基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法以及压力控制方法。

背景技术

在对半导体晶片等基板进行研磨的基板研磨装置中，通过将保持于顶环的基板按压于研磨台，来对基板进行研磨。为了将基板从输送机构转移于顶环，首先，使支承于输送机构的基板与设于顶环的下表面且呈同心圆状分割成多个区域的薄膜(日文：メンブレン)接触。然后，通过从形成于薄膜的孔进行抽真空，基板被吸附于薄膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3705670号

专利文献2：日本特开2014－61587号公报

专利文献3：日本特开2011－258639号公报

专利文献4：日本特开2014－8570号公报

专利文献5：日本特开2002－521830号公报

专利文献6：日本特表2004－516644号公报

专利文献7：日本特开2014－17428号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明提供一种用于对基板适当地进行处理的基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法以及压力控制方法。

用于解决课题的手段

根据本发明的一技术方案，可提供一种基板吸附方法，在该基板吸附方法中，使基板吸附于顶环，该顶环具有顶环主体和设于该顶环主体的下方的弹性膜，其中，该基板吸附方法包括如下工序：抽真空工序，在该抽真空工序中，在所述基板的下表面支承于支承部件、所述基板的上表面与所述弹性膜的下表面接触的状态下，对在所述弹性膜的上表面与所述顶环主体之间呈同心圆状形成的多个区域中的至少一个区域进行抽真空；流量计测工序，在该流量计测工序中，对相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域内的气体的流量进行计测；判定工序，在该判定工序中，基于所述气体的流量对所述基板是否已吸附到所述顶环进行判定；分离工序，在该分离工序中，在判定为所述基板吸附到所述顶环之后，使吸附有所述基板的所述弹性膜与所述支承构件分离。

若对某一区域进行抽真空，则在弹性膜要吸附于基板之际，相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域的容积变小。基于相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域内的气体的流量对该容积变小的情况进行检测。因此，能够精度良好地对基板是否已吸附到弹性膜进行判定。