[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供形成有多个第一芯片的第一器件晶圆，所述第一芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有裸露的且相间隔的第一互连电极和外接电极；

提供多个第二芯片，所述第二芯片的表面具有裸露的第二互连电极；

利用键合层将所述第二芯片键合于所述第一芯片的第一表面上，所述第二互连电极和第一互连电极上下相对，围成空腔，且所述第二芯片露出所述外接电极；

在键合后，形成填充于所述空腔中的电镀互连结构、以及凸出于所述外接电极表面的电镀互连凸块。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述电镀互连结构和电镀互连凸块后，所述晶圆级封装方法还包括：切割所述第一器件晶圆形成芯片模块，所述芯片模块包括键合在一起的所述第二芯片和所述第一芯片。

3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，切割所述第一器件晶圆后，所述晶圆级封装方法还包括：将所述第一芯片的第二表面粘接至基板上，所述基板中具有电路结构；

利用打线工艺形成焊线，所述焊线电连接所述电镀互连凸块与所述基板中的电路结构。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一互连电极和外接电极的最小间距为3微米。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述键合层的厚度为5微米至50微米。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述电镀互连凸块的上表面为平坦面。

7.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述焊线的最高处和所述第二芯片背向所述第一芯片的表面齐平，或者，所述焊线的最高处低于所述第二芯片背向所述第一芯片的表面。

8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，采用电镀工艺形成所述电镀互连结构和电镀互连凸块，所述电镀工艺为无极电镀工艺。

9.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，每个所述第二芯片单独与所述第一器件晶圆上对应的所述第一芯片实施键合；

或者，

提供所述多个第二芯片的步骤中，所述第二芯片位于第二器件晶圆中；

在键合的步骤中，将所述第二器件晶圆键合至所述第一器件晶圆上。

10.如权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成所述电镀互连结构和电镀互连凸块之前，所述晶圆级封装方法还包括：切割所述第二器件晶圆，分离各个所述第二芯片。

11.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，利用光学对准工艺实现键合。

12.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述键合层的材料包括干膜或粘片膜。

13.一种封装结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底中形成有第一芯片，所述第一芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有裸露的且相间隔的第一互连电极和外接电极；

第二芯片，键合于所述第一芯片的第一表面上，所述第二芯片的表面具有裸露的第二互连电极，所述第二互连电极和所述第一互连电极上下相对，且所述第二芯片露出所述外接电极；

键合层，位于第二芯片和第一芯片之间；

电镀互连结构，位于所述第二互连电极和所述第一互连电极之间，且电连接所述第二互连电极和所述第一互连电极；

电镀互连凸块，凸出于所述外接电极表面。