[发明专利]一种制备石墨烯纳米带阵列的方法有效
| 申请号： | 202010673350.X | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111620325B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 于贵;蔡乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 吴爱琴 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 纳米 阵列 方法 | ||
1.一种制备石墨烯纳米带阵列的方法，包括如下步骤：
在氢气和氩气氛围中，通入碳源气体于液态金属/浸润衬底表面上进行化学气相沉积，沉积完毕后于液态金属/浸润衬底表面上得到所述石墨烯纳米带阵列；
所述碳源气体、氢气和氩气的流量比为0.6：2：930-1.2：9：500；
所述化学气相沉积步骤中，时间为8-14分钟。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述液态金属/浸润衬底为液态铜/钨、液态铜/钼、液体金/钨和液体金/钼；
所述液态铜/钨衬底中，铜的厚度为50-200微米，钨箔的厚度为100-300微米；
所述液态铜/钼衬底中，铜的厚度为50-200微米；钼箔的厚度为100-300微米；
所述液体金/钨衬底中，金的厚度为50-150微米；钨箔的厚度为100-300微米；
所述液体金/钼衬底中，金的厚度为50-150微米；钼箔的厚度为100-300微米。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述碳源气体为甲烷、乙烯或乙烷。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述碳源的流量为0.6-1.2 sccm；
所述氢气的流量为2-9 sccm；
所述氩气的流量为500-930sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积步骤中，压强为0-1.01×105Pa，但不为0；
温度为1110-1150℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括如下步骤：
在所述化学气相沉积步骤之前，将所述衬底进行升温和退火。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
所述升温步骤中，升温的气氛为氢气和氩气的氛围：
氢气的流量为5-50 sccm；
氩气的流量为100-300 sccm；
升温的时间为45-90分钟；
所述退火步骤中，退火的气氛为氢气和氩气气氛；
氢气的流量为0-200sccm；
氩气的流量为0-300sccm；
退火的时间为0-120分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述化学气相沉积步骤之后，将体系在氩气和氢气的混合气氛中冷却；
所述冷却步骤中，氩气的流量为930 sccm；氢气的流量2-9 sccm。
9.权利要求1-8中任一所述的方法制备得到石墨烯纳米带阵列。
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