[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，沿所述鳍部的延伸方向，所述衬底包括器件单元区以及位于相邻所述器件单元区之间的隔离区，所述衬底上形成有覆盖所述鳍部的部分侧壁的隔离层，所述器件单元区和隔离区的所述隔离层上形成有横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层的顶部形成有栅极掩膜层；

在所述隔离区的所述栅极掩膜层中形成掩膜开口；

以所述栅极掩膜层为掩膜，沿所述掩膜开口依次刻蚀所述栅极层和鳍部，形成由所述栅极层、隔离层、鳍部和衬底围成的隔离开口；

在所述隔离开口中形成隔离结构，所述隔离结构用于沿所述鳍部的延伸方向隔离相邻鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层全面覆盖所述鳍部和隔离层；

形成所述隔离结构后，所述形成方法还包括：图形化所述栅极掩膜层，形成栅极掩膜图形层；以所述栅极掩膜图形层为掩膜，图形化所述栅极层，在所述器件单元区形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁的栅极结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

在所述隔离区的所述栅极掩膜层中形成掩膜开口之前，所述形成方法还包括：在所述器件单元区中，在所述栅极层两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂区；在所述栅极层露出的所述隔离层上形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

形成所述隔离结构后，所述形成方法还包括：在所述器件单元区中，在所述栅极层两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂区。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离开口中形成隔离结构的步骤中，所述隔离结构还形成于所述掩膜开口中，所述隔离结构顶面和所述栅极掩膜层顶面相齐平。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括：在所述隔离开口和掩膜开口中填充隔离材料层；

以所述栅极掩膜层顶面作为停止位置，对所述隔离材料层进行平坦化处理。

7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构后，还包括：对部分厚度的所述隔离结构进行掺杂处理，形成盖帽层，所述掺杂处理用于提高所述盖帽层的耐刻蚀度。

8.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构后，还包括：回刻蚀部分厚度的所述隔离结构；

在所述回刻蚀后，在剩余的所述隔离结构的顶部形成盖帽层，所述盖帽层的耐刻蚀度大于所述隔离结构的耐刻蚀度。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖帽层顶部和所述栅极掩膜层顶部相齐平。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述盖帽层的步骤包括：在剩余的所述隔离结构的顶部形成硅层；

对所述硅层进行掺杂处理，形成盖帽层，所述掺杂处理用于提高所述盖帽层的耐刻蚀度。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在剩余的所述隔离结构的顶部形成硅层的步骤中，所述硅层还覆盖所述栅极掩膜层；

形成所述盖帽层的步骤还包括：对所述硅层进行掺杂处理之前，以所述栅极掩膜层顶面作为停止位置，对所述硅层进行平坦化处理。

12.如权利要求7或10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理包括掺氮处理。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺氮处理的工艺包括去耦等离子氮化工艺。