[发明专利]制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置

权利要求书

1.一种电容器形成方法，所述电容器形成方法包括：

在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；

在第二模制层上形成掩模图案；

使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；

在凹部中形成下电极；

通过干法清洁工艺去除掩模图案；

减小下电极的上部的宽度；

去除第一模制层；

在下电极的表面上形成介电层；以及

在介电层上形成上电极。

2.根据权利要求1所述的电容器形成方法，所述电容器形成方法还包括：在去除第一模制层之前，形成第二支撑材料层。

3.根据权利要求2所述的电容器形成方法，所述电容器形成方法还包括：在减小下电极的上部的宽度之前并且在去除掩模图案之后，去除第二模制层的一部分。

4.根据权利要求3所述的电容器形成方法，所述电容器形成方法还包括：在减小下电极的上部的宽度之后并且在形成第二支撑材料层之前，在第一支撑材料层上形成第三模制层。

5.根据权利要求4所述的电容器形成方法，其中，第二支撑材料层形成在第三模制层上。

6.根据权利要求5所述的电容器形成方法，所述电容器形成方法还包括：在形成第二支撑材料层之前，去除第三模制层的一部分以暴露下电极的上部。

7.根据权利要求6所述的电容器形成方法，其中，

第二支撑材料层形成为覆盖下电极的上表面和下电极的上部的侧表面的一部分。

8.根据权利要求6所述的电容器形成方法，其中，

第二支撑材料层形成为暴露下电极的上表面并且覆盖下电极的上部的侧表面的一部分。

9.根据权利要求1所述的电容器形成方法，其中，

干法清洁工艺是其中不施加电偏压的等离子体清洁工艺。

10.根据权利要求9所述的电容器形成方法，其中，

掩模图案包括硅，并且使用包括氟自由基的等离子体气体执行等离子体清洁工艺。

11.根据权利要求1所述的电容器形成方法，其中，

在干法清洁工艺中，掩模图案相对于第二模制层的蚀刻选择性为至少500:1。

12.根据权利要求1所述的电容器形成方法，其中，

在减小下电极的上部的宽度之后，下电极的上端具有在下电极的下部的宽度的60％至90％的范围内的宽度。

13.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；

在第二模制层上形成掩模图案；

通过使用掩模图案作为掩模对第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层进行图案化，在第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层中形成凹部；

在凹部中形成下电极；

通过干法清洁工艺去除掩模图案以暴露下电极的上部；

减小下电极的上部的宽度；

去除第一模制层；

在下电极的表面上形成介电层；以及

在介电层上形成上电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

下电极具有柱形形状。

15.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在去除掩模图案之后并且在减小下电极的上部的宽度之前，去除第二模制层的一部分。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

减小下电极的上部的宽度的步骤包括：减小下电极的设置在第一支撑材料层上方的部分的宽度。