[发明专利]密堆积胶体晶体膜的壳赋能垂直对准和精密组装

权利要求书

1.一种形成纳米线密堆积结构的方法，其包括：

提供包含具有晶种部分和纳米线部分的纳米线的纳米线批料；

在第一液体溶剂中选择性形成囊封纳米线批料中所述纳米线的一部分的第一壳，

在不同于所述第一溶剂的第二液体溶剂中形成囊封纳米线批料中所述纳米线的第二部分的第二功能区以形成纳米线分散液，所述纳米线分散液包含在第二液体中的纳米线，其中所述第二功能区材料不同于所述第一壳材料；以及

在第三液体中提供所述纳米线分散液，使得所述第二液体和所述第一液体形成液体/液体界面以在所述液体/液体界面处定向和对准所述纳米线，其中所述纳米线的所述对准垂直于所述界面，并且所述界面处个别纳米线之间的间距由所述第一壳的厚度控制。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线的所述定向由所述第一壳材料和所述第二功能区材料的配置和所述界面材料的性质决定，其中选择所述界面材料，使得所述壳部分中的一者与所述界面材料的一者相互作用且另一壳部分或功能区与另一界面材料相互作用。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述经定向和对准的纳米线转移到固体衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线具有大体上单向定向。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线是半导体纳米线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一壳包括介电壳。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述界面处个别纳米线之间的间距由所述介电壳的厚度控制。

8.根据权利要求7所述的方法，其中选择所述介电壳的厚度，使得如从一根纳米线到的中点到另一根的中点所测量的所述纳米线的平均间距大于200nm且小于700nm。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述介电壳的厚度为至少2nm，所述纳米线部分包括半导体纳米线部分，所述晶种部分包括金属催化剂粒子。

10.根据权利要求6所述的方法，其中包含所述壳的所述纳米线的纵横比小于没有壳的所述纳米线的纵横比。

11.根据权利要求6所述的方法，其中在所述纳米线的喷雾外延工艺或MOCVD生长期间不形成所述介电壳。