[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；

位于第一区鳍部表面的第一界面层，所述第一界面层内掺杂有第一极化原子；

位于第二区鳍部表面的第二界面层，所述第二界面层内掺杂有第一极化原子和第二极化原子，且所述第一界面层的导电类型和第二界面层的导电类型相同。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区和第二区的比例关系范围为10:1至3:1。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一界面层包括第一栅极界面层；所述第二界面层包括第二栅极界面层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合；所述第二栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一界面层包括：第一栅极界面层和位于第一栅极界面层表面的第一栅极介质层；所述第二界面层包括第二栅极界面层和位于所述第二栅极界面层表面的第二栅极介质层。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合，所述第一栅极介质层的材料包括：高K介质材料；所述第二栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合，所述第二栅极介质层的材料包括：高K介质材料。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一极化原子包括N型或P型，所述N型包括：镧、钆、钇、钛酸锶、镁或者钡；所述P型包括：铝或者铌。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二极化原子包括：N型或P型，所述N型包括：镧、钆、钇、钛酸锶、镁或者钡；所述P型包括：铝或者铌。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部还包括：位于第一区底部的第三区；所述半导体结构还包括：位于基底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第三区鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；

在所述第一区鳍部上形成第一界面层，所述第一界面层内掺杂有第一极化原子；

在所述第二区鳍部上形成第二界面层，所述第二界面层内掺杂有第一极化原子和第二极化原子，且所述第一界面层的导电类型和第二界面层的导电类型相同。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一界面层的形成方法包括：在所述第一区和第二区鳍部表面形成初始界面层；在所述初始界面层表面形成第一极化层，所述第一极化层内具有第一极化原子；对所述第一极化层进行第一处理，使第一极化层内的极化原子扩散进入初始界面层，在所述第一区的鳍部表面形成第一界面层，在所述第二区的鳍部表面形成初始掺杂界面层；形成所述第一界面层和初始掺杂界面层之后，去除所述第一极化层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二界面层的形成方法包括：在所述初始掺杂界面层表面形成第二极化层，所述第二极化层内具有第二极化原子；对所述第二极化层进行第二处理，使第二极化层内的第二极化原子进入初始掺杂界面层，使初始掺杂界面层形成第二界面层，且所述第二界面层位于第二区的鳍部表面；形成所述第二界面层之后，去除所述第二极化层。