[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供设置有多个导电硅通孔的中介板，其中，所述中介板包括相背设置的正面和背面，所述硅通孔自所述正面向所述背面延伸，且非贯通所述背面，所述硅通孔朝向所述背面一侧设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层的材质为有机物；

使所述中介板的所述正面朝下，从所述背面去除部分所述中介板以使得所述硅通孔从所述背面露出，包括：研磨所述中介板的所述背面，以使所述第一绝缘层露出；在所述背面以及露出的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质相同，利用同一工艺去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层；

在从所述背面露出的所述硅通孔上形成焊球，所述焊球与所述硅通孔电连接；

使所述中介板的所述背面朝下，将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接；

其中，所述将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接，之前，包括：在所述中介板的所述正面形成多个金属凸点，所述金属凸点与所述硅通孔电连接；所述将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接，包括：将至少一个芯片的功能面朝向所述金属凸点，并使所述芯片的所述功能面上的焊盘与对应位置处的所述金属凸点电连接；

其中，所述将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接，之后，还包括：在所述芯片的所述功能面与所述中介板的所述正面之间形成底填胶，所述金属凸点位于所述底填胶内；在所述中介板的所述正面一侧形成第一塑封层，所述第一塑封层与所述芯片的非功能面齐平；其中，所述中介板上包含多个重复单元，每个所述重复单元内电连接有至少一个所述芯片，所述制备方法还包括：将所述中介板设置有所述第一塑封层一侧朝下设置；切割掉相邻所述重复单元之间的所述第一塑封层以及所述中介板，以获得包含单个重复单元的第一封装体，将所述第一封装体设置有所述焊球一侧与封装基板电连接；其中，所述封装基板的外边缘设置有加固件，所述加固件由高导热材料形成；

其中，所述提供设置有多个导电硅通孔的中介板的步骤，包括：在所述中介板的所述正面形成非贯通的多个凹槽；在所述凹槽的底部形成所述第一绝缘层；在所述凹槽内形成溅射金属层；在所述溅射金属层上形成金属柱，所述金属柱填充满所述凹槽，且与所述中介板的所述正面齐平；其中，所述溅射金属层和所述金属柱形成所述硅通孔；

其中，所述去除所述第一绝缘层之前，还包括：在所述中介板的所述背面以及露出的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；所述去除所述第一绝缘层包括：去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层；

其中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材质相同，所述去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，包括：利用同一去除工艺去除所述硅通孔位置处的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在从所述背面露出的所述硅通孔上形成焊球，所述焊球与所述硅通孔电连接，包括：

在所述第二绝缘层上形成图案化的第一再布线层；

在所述第一再布线层远离所述第二绝缘层一侧形成焊球，所述焊球、所述第一再布线层和所述硅通孔电连接。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述金属凸点的材质包括CuNiSnAg。