[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；

位于第一区鳍部表面的第一界面层，所述第一界面层内掺杂有极化原子，且所述极化原子具有第一浓度；

位于第二区鳍部表面的第二界面层，所述第二界面层内掺杂有极化原子，且所述极化原子具有第二浓度，所述第一浓度和第二浓度不同。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区和第二区的比例关系范围为10:1至3:1。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一浓度大于所述第二浓度。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一浓度小于所述第二浓度。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一界面层包括第一栅极界面层；所述第二界面层包括第二栅极界面层。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合；所述第二栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一界面层包括：第一栅极界面层和位于第一栅极界面层表面的第一栅极介质层；所述第二界面层包括第二栅极界面层和位于所述第二栅极界面层表面的第二栅极介质层。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合，所述第一栅极介质层的材料包括：高K介质材料；所述第二栅极界面层的材料包括：氧化硅或氮氧化硅中的一种或者两种组合，所述第二栅极介质层的材料包括：高K介质材料。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一界面层和第二界面层为N型，所述极化原子包括：镧、钆、钇、钛酸锶、镁或者钡；所述第一界面层和第二界面层为P型，所述极化原子型包括：铝或者铌。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部还包括：位于第一区底部的第三区；所述半导体结构还包括：位于基底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第三区鳍部的部分侧壁表面，且所述隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；所述第一界面层位于所述隔离结构上。

11.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一栅极界面层和第二栅极界面层表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面的功函数层；位于所述功函数层表面的栅极层，且所述栅极层的顶部表面高于所述鳍部的顶部表面。

12.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一栅极介质层和第二栅极介质层表面的功函数层；位于所述功函数层表面的栅极层，且所述栅极层的顶部表面高于所述鳍部的顶部表面。

13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括第一区以及位于第一区上的第二区；

在所述第一区鳍部表面形成第一界面层，所述第一界面层内掺杂有极化原子，且所述极化原子具有第一浓度；

在所述第二区鳍部表面形成第二界面层，所述第二界面层内掺杂有极化原子，且所述极化原子具有第二浓度，所述第一浓度和第二浓度不同。