[发明专利]封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

一基板，表层设置有一实心接地铜皮层；

至少二射频芯片模块，设置于该基板上；

一塑封体，设置于该基板上且包覆该至少二射频芯片模块；

一沟槽，贯通该塑封体的上下表面且位于相邻的该二射频芯片模块之间；

一焊料填充体，填充于该沟槽内；以及

一屏蔽层，覆盖该塑封体的上表面及侧面、该焊料填充体的上表面与该基板的侧面；

其中，该实心接地铜皮层对应于该沟槽的底面且与该焊料填充体接触。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该基板的材料为刚性有机积层多层板材，具有多层金属电路层且具有完整的地平面层。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该基板的金属电路层层叠10至12层。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该塑封体的材料为绝缘的且粘度较小的热固性材料。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该实心接地铜皮层的材料采用铜，该焊料填充体的材料采用银基材料，二者接触部分形成金属隔离墙。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该沟槽包括一沟槽上面、一沟槽墙面和一沟槽底面。

7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，该实心接地铜皮层的宽度大于等于100微米，该沟槽底面的宽度大于等于50微米，该沟槽上面的宽度是该沟槽底面宽度的3至6倍，该沟槽墙面的深度占该沟槽的深度的比例大于等于50％。

8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该塑封体的上表面与该焊料填充体的上表面相平齐。

9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该屏蔽层的厚度为2至10微米。

10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

一通信芯片模块，设置于该基板上。

11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该通信芯片模块的高度小于等于200微米。

12.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该通信芯片模块相对于该至少二射频芯片模块位于该基板的异侧且通过多个微焊球贴装于基板上。

13.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，该通信芯片模块与至少二射频芯片模块位于该基板的同一侧且直接贴装于该基板上，且该通信芯片模块不被该塑封体所包覆。

14.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

多个焊球，设置于该基板上且相对于该至少二射频芯片模块位于该基板的异侧。

15.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供表面设置有至少二射频芯片模块及表层设置有一实心接地铜皮层的一基板；

形成一塑封体于该基板上，以将该至少二射频芯片模块包覆在该塑封体内；

对相邻的该二射频芯片模块之间的该塑封体进行切割并形成一沟槽，该沟槽贯通该塑封体的上下表面且该沟槽的底面与该实心接地铜皮层相对应；

将焊料填充体填充到该沟槽内且与该实心接地铜皮层接触；以及

在该塑封体的上表面及侧面、该焊料填充体的上表面与该基板的侧面上形成一屏蔽层。

16.如权利要求15所述的封装结构的制作方法，其特征在于，该基板的材料为刚性有机积层多层板材，具有多层金属电路层且具有完整的地平面层。