[发明专利]GaN器件散热结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010677942.9 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111564501A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/20;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 器件 散热 结构 制备 方法 | ||
1.一种GaN器件散热结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）提供衬底，在所述衬底上方形成外延层；
2）在所述衬底上定义有源区和非有源区，并在所述有源区的所述外延层上方形成有源区结构；
3）在所述有源区的所述外延层和所述有源区结构上方形成隔离层；
4）去除所述非有源区上的所述外延层；
5）在所述非有源区的衬底上形成散热结构。
2.根据权利要求1所述的GaN器件散热结构的制备方法，其特征在于，在步骤2）中形成的所述有源区结构包括栅极金属结构、源极金属结构和漏极金属结构。
3.根据权利要求2所述的GaN器件散热结构的制备方法，其特征在于，所述源极金属结构和所述漏极金属结构位于所述有源区的边缘并接触所述散热结构。
4.根据权利要求3所述的GaN器件散热结构的制备方法，其特征在于，在步骤5）中，形成所述散热结构的材料包括金属材料，所述散热结构除了形成于所述非有源区外，还从所述非有源区延伸至所述有源区的所述源极金属结构和/或所述漏极金属结构的上方区域以形成场板结构。
5.根据权利要求1所述的GaN器件散热结构的制备方法，其特征在于，在步骤5）中，还包括在所述散热结构上方形成石墨烯散热层的步骤。
6.根据权利要求1所述的GaN器件散热结构的制备方法，其特征在于，所述非有源区为多个间隔排布的孔形，所述散热结构为通孔结构。
7.一种GaN器件散热结构，其特征在于，包括：
衬底，其上定义有有源区和非有源区；
外延层，其形成于所述有源区的衬底上方；
有源区结构，其形成于所述外延层上方；
隔离层，其形成所述外延层和所述有源区结构上方；
散热结构，其形成于所述非有源区的衬底上方。
8.根据权利要求7所述的GaN器件散热结构，其特征在于，所述有源区结构包括栅极金属结构、源极金属结构和漏极金属结构。
9.根据权利要求8所述的GaN器件散热结构，其特征在于，所述源极金属结构和所述漏极金属结构位于所述有源区的边缘并接触所述散热结构。
10.根据权利要求9所述的GaN器件散热结构，其特征在于，所述散热结构的材料包括金属材料，所述散热结构除了形成于所述非有源区外，还从所述非有源区延伸至所述有源区的所述源极金属结构和/或所述漏极金属结构的上方区域以形成场板结构。
11.根据权利要求7所述的GaN器件散热结构，其特征在于，还包括：
石墨烯散热层，其形成于所述散热结构的上方。
12.根据权利要求7所述的GaN器件散热结构，其特征在于，所述非有源区为多个间隔排布的孔形，所述散热结构为通孔结构。
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