[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：肖特基二极管；半导体基板(10)，其包括第一表面(10a)和与第一表面相反的第二表面(10b)；肖特基电极(30)，其放置在第一表面上并且与半导体基板肖特基接触；放置在肖特基电极上的第一电极(50)；和第二电极(70)，其被放置在第二表面上并连接到半导体基板。肖特基电极由柱状晶体的金属材料制成。在所述肖特基电极的至少一部分区域中，所述肖特基电极上的碳含量小于6×10¹⁹cm^‑3。

技术领域

本发明涉及一种包括肖特基二极管的半导体器件。

背景技术

传统上，已经提出了包括肖特基二极管的半导体器件(例如，参见专利文献1)。具体地，在该半导体器件中，在半导体基板上形成绝缘膜，并且肖特基电极形成为使得经由形成在绝缘膜中的接触孔与半导体基板进行肖特基接触。在半导体器件中，在肖特基电极上形成前表面电极。考虑到正向电压、泄漏特性等，该肖特基电极包括钼(Mo)，镍(Ni)，钛(Ti)等。

这种半导体器件中的肖特基电极和前表面电极形成如下。即，在形成构成肖特基电极的肖特基膜之后，在该肖特基膜上放置抗蚀剂。在对抗蚀剂进行图案化之后，将抗蚀剂用作掩模，并对肖特基膜进行图案化。由此，构成了肖特基电极。之后，通过使用剥离液来剥离抗蚀剂。

接下来，在肖特基电极上形成构成前表面电极的前表面电极膜之后，将抗蚀剂放置在前表面电极膜上。在对抗蚀剂进行图案化之后，将抗蚀剂用作掩模，并对前表面电极膜进行图案化。由此，构成了前表面电极。之后，通过使用剥离液来剥离抗蚀剂。以这种方式，形成上述半导体器件中的肖特基电极和前表面电极。

相关现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP 2016-208016 A

发明内容

然而，作为发明人的研究结果，已经确认，由于构成肖特基电极的钼等是柱状晶体，因此当通过上述制造方法制造半导体器件时，抗蚀剂可能残留在肖特基电极上。此外，已经确认残留的抗蚀剂会在肖特基电极上形成的前表面电极上形成不平度。在这种情况下，当在前表面电极上形成大高度差的不平度时，连接至前表面电极的接合线等连接元件的连接性能可能会变差。

本发明的目的是提供一种能够减小在前表面电极中形成的不平度的高度差的半导体器件。

根据一个示例实施例，一种半导体器件包括：肖特基二极管；半导体基板，其包括第一表面和与第一表面相反的第二表面；肖特基电极，其放置在第一表面上并与半导体基板肖特基接触；放置在肖特基电极上的第一电极；和第二电极，其放置在第二表面上并连接到半导体基板。肖特基电极由为柱状晶体的金属材料制成，在所述肖特基电极的至少一部分区域中，所述肖特基电极上的碳含量小于6×10¹⁹cm^-3。

从而，由于表面电极的碳含量小于6×10¹⁹cm^-3，所以可以减小在前表面电极中形成的不平度的高度差。因此，当连接元件连接至前表面电极时，可以防止连接性能降低。

附图说明

根据以下参照附图进行的详细描述，本发明的以上和其他目的、特征和优点将变得更加明显。在附图中：

图1是第一实施例的半导体器件的截面图；

图2是表示深度与碳含量的关系的实验结果；

图3是表示碳含量与反射率的关系的实验结果；

图4是表示碳含量与算术平均粗糙度之间的关系的实验结果；

图5A是示出图1的半导体器件的制造过程的截面图；

图5B是示出图5A之后的半导体器件的制造过程的截面图；