[发明专利]一种N-PERT电池的制备方法有效
申请号: | 202010678605.1 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111785810B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 张胜军;吴智涵;沈梦超;顾振华;绪欣;许佳平;曹育红;符黎明 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pert 电池 制备 方法 | ||
1.一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:包括对N型硅片依次进行去损伤层与制绒、正面硼扩散、去除背面和侧面PN结、背面磷扩散、两步湿化学边缘刻蚀、去除正面BSG和背面PSG、正背面镀膜和印刷烧结;所述正面硼扩散后正面BSG的厚度为30~60nm;所述背面磷扩散后背面PSG和侧面PSG的厚度为2~7nm;
所述两步湿化学边缘刻蚀包括:
第一步:链式单面酸洗去除硅片侧面的PSG:将硅片正面朝下置于链式刻蚀机的滚轮上,使得正面与HF溶液接触,去除侧面PSG同时保留正面大部分BSG层;
第二步:碱液刻蚀去除硅片侧面的磷扩散层。
2.根据权利要求1所述的一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:所述链式单面酸洗的溶液为质量分数0.5~2%的HF溶液。
3.根据权利要求1所述的一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:所述链式单面酸洗所用设备的滚轮带速为0.4~2.0m/min。
4.根据权利要求1所述的一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:所述碱液为质量分数1~5%的KOH或NaOH溶液。
5.根据权利要求1所述的一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:所述碱液含有体积分数为0.5~5%的碱抛添加剂。
6.根据权利要求1所述的一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:所述碱液刻蚀的温度为50~75℃,时间为100~400s。
7.根据权利要求1所述的一种N-PERT电池的制备方法,其特征在于:所述碱液刻蚀后硅片侧面的刻蚀深度为1.5~5um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的