[发明专利]一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、将高分子材料预置于芯片正面后，对芯片正面进行曝光显影，使得仅预置在芯片正面功能区的高分子材料得到保留，使得芯片正面焊盘外露，从而实现对芯片正面功能区的保护，或者仅将高分子材料直接预置在芯片正面的功能区，使得芯片正面焊盘外露，从而实现对芯片正面功能区的保护；

步骤S2、通过步骤1得到预处理后的芯片，预处理后的芯片背面通过高分子粘结材料与基材或者基材上的金属焊盘结合；

步骤S3、采用引线键合工艺使金属引线连接芯片正面的焊盘和基材上预制的金属管脚模块；

步骤S4、通过注塑成形工艺，将芯片、引线、金属管脚模块和/或金属焊盘以及芯片正面功能区的高分子材料和芯片背面的高分子粘接材料包封，形成包封层；或者将芯片正面功能区的高分子材料和芯片背面的高分子粘接材料包封，形成包封层，包封层与基材保持结合，形成统一的封装体；或者用注塑模具在注塑成形时，模具腔体上表面直接与芯片正面功能区的高分子材料接触从而使注塑树脂不能注塑到高分子材料表面，形成包封层后，芯片上的高分子材料直接外露于包封层，此时，跳过步骤S5，直接进入步骤S6；

步骤S5、通过机械研磨方式减薄包封层，直至包封层厚度达到要求，同时使预置在芯片上的高分子材料外露于包封层；

步骤S6、通过化学药水去除正面功能区的高分子材料，使芯片正面功能区外露于包封层。

2.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，所述基材为印刷线路板、基板、引线框架、或带有电路的不锈钢板。

3.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，步骤S1中，对芯片正面进行曝光显影时，先在芯片正面旋转涂布一层湿式高分子材料或者贴干式高分子材料，然后再进行曝光显影，仅保留芯片正面功能区域上面的湿式高分子材料或干式高分子材料，去除位于芯片其他部分的多余部分的湿式高分子材料或干式高分子材料或液体状高分子材料。

4.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，步骤S1中，仅将高分子材料直接预置在芯片正面的功能区时，通过丝网印刷工艺将液体状高分子材料印刷到芯片正面的功能区上面。

5.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，步骤S3中，通过所述金属引线连接所述芯片和所述金属管脚模块时，所述金属引线的线弧高度不超过所述芯片正面功能区的高分子材料的高度。

6.如权利要求5所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，步骤S5中，通过机械研磨方式减薄包封层至预置在芯片正面功能区的高分子材料外露于包封层，并研磨到所述金属引线的线弧高度以上。

7.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，所述金属管脚模块和/或所述金属焊盘由金、镍、银、铜、钯、锡中的任意一种金属制成，或由金、镍、银、铜、钯、锡中的一种以上的金属叠层组成。

8.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，步骤S6中，所述芯片正面功能区的高度低于所述包封层上表面，形成天井式的凹槽结构；包封材料填充至芯片正面边缘，最大程度保护芯片，实现高作业性和高可靠性。

9.如权利要求1所述的一种半导体芯片上表面感应区外露的封装方法，其特征在于，步骤S6中，所述化学药水采用中性Ph值的化学药水，达到去除预置在芯片正面功能区的高分子材料的同时，不损伤芯片正面的功能区和/或所述金属焊盘。