[发明专利]一种MEMS惯性器件敏感结构频率测试装置及方法

权利要求书

1.一种MEMS惯性器件敏感结构频率测试方法，其特征在于，MEMS惯性器件敏感结构频率测试装置包括电动XY轴移动台(4)和压电陶瓷扫频装置；所述压电陶瓷扫频装置包括承片台(2)、压电陶瓷(3)、金属压片(5)，所述压电陶瓷(3)刚性连接在承片台(2)下方，承片台(2)固定在电动XY轴移动台(4)上；

所述压电陶瓷(3)谐振频率大于敏感结构的频率区间；

MEMS惯性器件敏感结构频率测试方法，包括如下步骤：

步骤1：将待测wafer基片用金属压片(5)压紧固定在承片台(2)上，所述wafer基片为石英基片；

步骤2：通过信号发生器和功放装置驱动压电陶瓷(3)振动，实现在敏感结构待测频率参数的有效范围内以规定的频率分辨率进行循环扫频；

步骤3：移动电动XY轴移动台(4)，按照wafer基片(1)敏感结构上的顺序使多普勒测量仪对准其中一支敏感结构的驱动端位置，获得扫频周期内驱动端的振动幅值，捕获振动幅值最大点，此时所对应的频率即为该敏感结构的驱动谐振频率；

步骤4：在保持步骤2不变的情况下，重复步骤3过程，依次完成wafer基片上所有敏感结构的测试，即可依次获得wafer基片(1)上所有敏感结构的频率数值。