[发明专利]一种谐振型SAW温度、压力集成传感器及制备方法

权利要求书

1.一种制备谐振型SAW兼具温度和压力测试传感器的方法，其特征在于：以硅片衬底的对称轴为分界线，在对称轴的两侧分别制作为测试温度的传感器和测试压力的传感器，包括以下具体步骤：

(1)在对称轴的单侧，在硅片衬底的内部制备密封的空腔；

(2)在硅片衬底的表面，位于对称轴的两侧对称的设置无线信号传输单元。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中在硅片衬底内部制备密封的空腔的步骤如下：

(1-1)在硅片衬底上刻蚀若干条平行的条形槽；

(1-2)对条形槽的底端部分进行腐蚀，使各条形槽的下端连接成相通的腔体；

(1-3)采用外延生长工艺对上端未被腐蚀的条形槽外延生长单晶硅，将下端的腔体密封。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤(1-1)中，以(001)晶面为基准面，按晶向指向方向对硅片衬底进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤(1-2)中，按[0 1 0]、和晶向指向方向对硅片衬底进行刻蚀。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述外延工艺为选取方向为100籽晶固定在籽晶杆上，籽晶杆从位于腔体和条形槽交界面的位置以起始点并逐步上升，填充条形槽之间的间隙空间。

6.根据权利要求2所述的，其特征在于：还包括对完成步骤(1-3)的硅片的表面进行化学机械抛光处理。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述腔体的高度为4-6μm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中无线信号传输单元的制备包括如下步骤：

(2-1)在硅片衬底的表面依次制作一层氧化硅层和氮化硅层；

(2-2)在氮化硅层的上方，对称的设置覆盖半侧硅片衬底部分面积的压电材料氮化铝层；

(2-3)采用光刻印刷法，在两侧氮化铝层的上方同时溅射金属层制作SAW谐振器。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：两侧的压电材料层的间距至少为220um；与所述空腔同侧的氮化铝层位于所述空腔的正上方。

10.根据权利要求1-9所述的制备方法制备的一种谐振型SAW温度、压力集成传感器。