[发明专利]存储器系统

说明书

实施方式提供一种高性能的存储器系统。实施方式的存储器系统具备包含存储单元晶体管的存储装置及控制器。控制器构成为，设为不将存储单元晶体管中的第1数据删除则无法从存储器系统的外部参考第1数据的状态，在决定对存储单元晶体管写入数据之前，使存储单元晶体管的阈值电压上升。控制器构成为，在决定对存储单元晶体管写入第2数据之后，降低存储单元晶体管的阈值电压设为删除状态，在将存储单元晶体管设为删除状态之后，对存储单元晶体管写入第2数据。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2019-170691号(申请日：2019年9月19日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

本实施方式总体来说涉及存储器系统。

背景技术

已知有包含存储装置与控制存储装置的控制器的存储器系统。

发明内容

本发明要解决的课题在于提供一种高性能的存储器系统。

实施方式的存储器系统具备包含存储单元晶体管的存储装置、及控制器。控制器构成为，设为不将存储单元晶体管中的第1数据删除则无法从存储器系统的外部参考第1数据的状态。控制器构成为，在决定对存储单元晶体管写入数据之前，使存储单元晶体管的阈值电压上升。控制器构成为，在决定对存储单元晶体管写入第2数据之后，降低来自存储单元晶体管的阈值电压设为删除状态。控制器构成为，在使存储单元晶体管为删除状态之后，对存储单元晶体管写入第2数据。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储器系统中的要素及连接、以及关联的要素的框图。

图2表示第1实施方式的区块的要素及连接的示例。

图3表示第1实施方式的区块的一部分的构造。

图4表示第1实施方式的存储单元晶体管的阈值电压的分布与数据的映射。

图5表示第1实施方式的地址转换表的示例。

图6表示第1实施方式的区块状态管理表的示例。

图7表示第1实施方式的存储器控制器的动作的流程。

图8表示第1实施方式的预编程的指示之间的输入输出信号的示例。

图9表示施加至第1实施方式的编程之间的若干要素的电压。

图10表示施加至第1实施方式的预编程之间的若干要素的电压。

图11表示第1实施方式的区块中的存储单元晶体管的2个时间点的阈值电压的分布的示例。

图12表示参考用的存储器控制器的动作的流程。

图13将通过参考用的动作的流程在存储单元晶体管会产生的若干状态按照时间依次表示。

图14将通过第1实施方式的动作的流程在存储单元晶体管中会产生的若干状态按照时间依次表示。

具体实施方式

以下，参考附图来描述实施方式。在以下描述中，存在具有大致相同的功能及构成的构成要素标注相同符号，并省略重复的说明的情况。或者，关于某实施方式的描述只要未全部明示地或者自明地排除，则也作为其它实施方式的描述应用。

各功能区块能够将硬件、计算机软件的任一者或者两者组合来实现。因此，以明确各功能区块也为这些任一者的方式，大概地从它们的功能的观点来描述。或者，并非必须将各功能区块像以下的示例一样加以区分。例如，一部分的功能也可以由与例示的功能区块不同的功能区块来执行。