[发明专利]快闪存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010679884.3 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111816615A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈南;王慧慧 | 申请（专利权）人： | 为远材料科技（辽宁）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙) 11457 | 代理人： | 李砚明 |
| 地址： | 111000 辽宁省辽阳市白塔*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 制备 方法 | ||
1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：闪存晶粒阵列(1)、引脚(2)、石墨烯发热元件(3)以及电极导流条(4)；其中，
所述石墨烯发热元件(3)紧密贴合在所述闪存晶粒阵列(1)的表面；所述电极导流条(4)与石墨烯发热元件(3)连接，并与所述引脚(2)连接；
所述石墨烯发热元件(3)为石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的层数在1～10层之间。
2.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述石墨烯发热元件(3)为不等宽的条带形；其中，所述条带的最宽位置处的宽度为最窄位置处的宽度的2倍或2倍以上。
3.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述电极导流条(4)为不等宽的条带形；其中，所述条带的最宽位置处的宽度为最窄位置处的宽度的2倍或2倍以上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的快闪存储器，其特征在于，还包括绝缘层(5)；所述绝缘层(5)位于所述闪存晶粒阵列(1)与所述石墨烯发热元件(3)之间。
5.根据权利要求4所述的快闪存储器，其特征在于，所述绝缘层(5)为介电常数小于2.8的非极性物质。
6.根据权利要求1或4所述的快闪存储器，其特征在于，还包括：自毁控制模块以及自毁开关；其中，
所述自毁控制模块用于控制所述自毁开关的断开与闭合；所述自毁开关与引脚(2)相连。
7.一种快闪存储器制备方法，用于制备权利要求1至6任一项所述的快闪存储器，方法包括：
制备石墨烯薄膜；
将所述石墨烯薄膜转移到衬底上；
将带有衬底的石墨烯薄膜按照预先设计的形状制成第一石墨烯发热元件，所述第一石墨烯发热元件包括石墨烯发热元件(3)以及衬底；
在所述一石墨烯发热元件的石墨烯发热元件(3)上制备电极导流条(4)；
将所述第一石墨烯发热元件中的石墨烯发热元件(3)紧密贴合在所述闪存晶粒阵列(1)的表面，然后去除所述第一石墨烯发热元件中的衬底；
将所述电极导流条(4)与引脚(2)连接。
8.根据权利要求7所述的快闪存储器制备方法，其特征在于，方法还包括：
在所述一石墨烯发热元件的石墨烯发热元件(3)上制备绝缘层(5)；相应的，
所述将所述第一石墨烯发热元件中的石墨烯发热元件(3)紧密贴合在所述闪存晶粒阵列(1)的表面，包括：
将表面制备有绝缘层(5)的所述第一石墨烯发热元件中的石墨烯发热元件(3)紧密贴合在所述闪存晶粒阵列(1)的表面。
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