[发明专利]阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设有显示区、邦定区以及屏下摄像头区，其特征在于，包括步骤：

底层制作步骤，在一衬底基板上从下至上依次制作阻挡层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间绝缘层；

第一掩膜蚀刻步骤，在所述层间绝缘层上覆盖第一掩膜层，并使用一掩膜板蚀刻至所述缓冲层形成走线过孔、深孔及屏下摄像孔中的至少一种，所述走线过孔位于所述显示区，所述深孔位于所述邦定区，所述屏下摄像孔位于所述屏下摄像头区；

第一剥离步骤，通过剥离将剩余的所述第一掩膜层去除；

顶层制作步骤，在所述层间绝缘层上从下至上依次制作有机填充层、源漏电极金属层、钝化层、第二平坦层、阳极层、像素定义层以及支撑层，所述有机填充层填充于所述深孔中；

第二掩膜蚀刻步骤，在所述像素定义层及支撑层上覆盖第二掩膜层，并使用所述掩膜板在所述屏下摄像孔位置蚀刻所述钝化层、所述缓冲层、所述阻挡层及部分所述衬底基板形成囊状结构；以及

第二剥离步骤，通过剥离将剩余的所述第二掩膜层去除。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜蚀刻步骤中，同时蚀刻形成所述走线过孔、所述深孔及所述屏下摄像孔。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜蚀刻步骤中，同时蚀刻形成所述走线过孔及所述屏下摄像孔，所述深孔单独蚀刻。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜蚀刻步骤中，同时蚀刻形成所述深孔及所述屏下摄像孔，所述走线过孔单独蚀刻。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜蚀刻步骤中，同时蚀刻形成所述走线过孔及所述深孔，所述屏下摄像孔单独蚀刻。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述顶层制作步骤中，在制作所述钝化层后还包括：

制作第一平坦层步骤，在所述钝化层上制作第一平坦层；

制作换线过孔步骤，在所述第一平坦层上覆盖一掩膜层，并使用一掩膜板蚀刻所述第一平坦层及所述钝化层形成换线过孔；

剥离掩膜层步骤，通过剥离将剩余的掩膜层去除；以及

制作换线层步骤，在所述第一平坦层上制作换线层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

当所述第二掩膜层的厚度≥5um时，只需进行一次所述第二掩膜蚀刻步骤及所述第二剥离步骤；

当所述第二掩膜层的厚度为1.5um-5um时，需进行两次及两次以上所述第二掩膜蚀刻步骤及所述第二剥离步骤。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第二掩膜蚀刻步骤中，包括步骤：

干法蚀刻步骤，使用SF₆与O₂或CF₄与O₂进行干法蚀刻在所述屏下摄像孔位置蚀刻所述钝化层、所述缓冲层、所述阻挡层至所述衬底基板；以及

化学性蚀刻步骤，使用纯O₂或纯O₂添加少量SF₆或CF₄气体进行化学性蚀刻，在所述衬底基板1中部形成囊状结构。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第二掩膜蚀刻步骤中，制作所述第二掩膜层的步骤包括：

制作一层光阻层形成所述第二掩膜层，所述光阻层的厚度≥5um。

10.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第二掩膜蚀刻步骤中，制作所述第二掩膜层的步骤包括：

制作多层光阻层形成所述第二掩膜层，首先制作第一光阻层并使用所述掩膜板进行曝光，所述第一光阻层的厚度≥0.8um；再在所述第一光阻层上制作第二光阻层并使用所述掩膜板进行曝光，所述第二光阻层的厚度≥1.5um。