[发明专利]三维存储器的形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成第一堆叠层于衬底表面；

形成连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面，所述连接层中具有暴露所述第一堆叠层的开口；

沿所述开口刻蚀所述第一堆叠层，形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔，所述第一沟道孔的孔径小于所述开口的宽度；

形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面的具体步骤包括：

形成连续覆盖的连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面；

形成掩膜层于所述连接层表面，所述掩膜层中具有暴露所述连接层的刻蚀窗口；

沿所述刻蚀窗口刻蚀所述连接层，于所述连接层中形成暴露所述第一堆叠层的所述初始开口；

扩大所述初始开口的宽度，形成所述开口。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，扩大所述初始开口的宽度的具体步骤包括：

沿所述刻蚀窗口选择性刻蚀所述连接层，形成宽度大于所述刻蚀窗口宽度的所述开口。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，所述连接层的材料为氧化物材料；沿所述刻蚀窗口选择性刻蚀所述连接层的具体步骤包括：

采用氢氟酸沿所述刻蚀窗口选择性刻蚀所述连接层。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，沿所述开口刻蚀所述第一堆叠层，形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔的具体步骤包括：

沿所述刻蚀窗口刻蚀所述第一堆叠层，形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔，所述第一沟道孔任意部位的孔径均小于所述开口的宽度。

6.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔的具体步骤包括：

遮盖部分的所述开口；

沿暴露的所述开口刻蚀所述第一堆叠层，形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔，所述第一沟道孔任意部位的孔径均小于所述开口的宽度。

7.根据权利要求1所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内的具体步骤包括：

一次沉积填充材料于所述第一沟道孔内、所述开口内和所述连接层顶面，形成所述填充层。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，还包括如下步骤：

去除覆盖于所述连接层顶面的所述填充层，残留的所述填充层与所述连接层的顶面平齐。

9.根据权利要求7所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内之后，还包括如下步骤：

形成第二堆叠层于所述连接层背离所述第一堆叠层的表面，所述第二堆叠层中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二堆叠层、且与所述第一沟道孔对准的第二沟道孔；

沿所述第二沟道孔去除所述填充层。

10.根据权利要求9所述的三维存储器的形成方法，其特征在于，沿所述第二沟道孔去除所述填充层的具体步骤包括：

采用一次刻蚀工艺沿所述第二沟道孔去除所述填充层。