[发明专利]ALD沉积装置及ALD沉积方法在审
申请号: | 202010680690.5 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111676465A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 马昆松 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ald 沉积 装置 方法 | ||
1.一种ALD沉积装置,其特征在于,包括:
真空腔体,所述真空腔体包括多个依次堆叠的子单元,相邻的子单元之间具有间隔;
其中,每个子单元包括:
进气口,通过第一开关连接进气管;
出气口,通过第二开关连接出气管;
平台,水平设置在所述真空腔体内,用以承载基板。
2.根据权利要求1所述的ALD沉积装置,其特征在于,还包括:
清洗管,通过第三开关连接所述进气管,所述清洗管通入清洗气体。
3.根据权利要求1所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述进气口包括:第一进气口及第二进气口;
所述第一开关包括:第一子开关及第二子开关;
所述进气管包括:第一进气管及第二进气管;
其中,所述第一进气口通过所述第一子开关连接所述第一进气管,所述第一进气管通入第一气体,用以与所述基板的表面进行半反应形成第一薄膜;以及
所述第二进气口通过所述第二子开关连接所述第二进气管,所述第二进气管通入第二气体;用以与所述基板的表面的所述第一薄膜进行半反应形成目标薄膜。
4.根据权利要求3所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述第一开关包括:高频脉冲阀门;和/或,
所述第二开关包括:高频脉冲阀门。
5.根据权利要求2所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述清洗气体包括氮气或氩气。
6.根据权利要求1所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述平台的表面设置加热板,用以加热所述基板。
7.根据权利要求6所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述加热板为液体循环加热系统。
8.根据权利要求6所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述平台为升降式结构,用以在所述真空腔体中进行升降。
9.根据权利要求1所述的ALD沉积装置,其特征在于,
所述出气口连接泵。
10.一种ALD沉积方法,其特征在于,包括:
提供如权利要求1~9任一项所述的ALD沉积装置以及待沉积的多块基板;
将所述的每个子单元的平台上均放置一块基板;
打开所述进气口,通入清洗气体至所述真空腔体中进行清洗;
通入第一气体至所述真空腔体中,所述第一气体与所述基板表面进行半反应形成第一薄膜;
再次通入清洗气体至所述真空腔体中进行清洗;
关闭所述进气口,打开所述出气口,排出残留气体以及副产物;
打开所述进气口,通入第二气体至所述真空腔体中,所述第二气体与所述基板表面的所述第一薄膜进行半反应形成目标薄膜。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的