[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202010682510.7 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111697010B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 唐维;曹志浩;吴咏波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多条栅极走线、与多条所述栅极走线异层的多条源漏极走线和多条公共电极走线;在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置,以避免因所述公共电极走线与所述栅极走线同层且平行设置时,所述公共电极走线易出现异常的问题,提高产品良率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
为改善中大尺寸显示产品因横纵距离较大,导致显示装置在显示时易出现显示不均的问题,在制备栅极走线的同时制备公共电极走线(Vcom GE Line)。在俯视视角下,公共电极走线(Vcom GE Line)位于栅极走线下方且呈横向设置,公共电极走线(Vcom GE Line)通过层间介电层上的通孔与纵向的公共电极走线(Vcom SD Line)相连,之后与公共电极BITO(Back side Indium tin oxide,彩色滤光片背镀氧化铟锡)连通,使整面的BITO均能及时接收到公共电极走线(Vcom SD Line)传输的信号。但此方法在实际生产制程中会受湿蚀刻等向蚀刻特性的影响,使得相距较近的横向栅极走线与横向的公共电极走线(Vcom GELine)之间出现蚀刻液残留,影响走线的尺寸精度,严重的还会出现断线问题,影响产品的良率。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,可以避免因公共电极走线与栅极走线同层且平行设置时,公共电极走线易出现异常的问题,提高产品良率。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示面板包括:基板以及位于所述基板上的多条栅极走线、与多条所述栅极走线异层的多条源漏极走线和多条公共电极走线;
在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置。
在一些实施例中,所述源漏极走线包括数据线,在所述显示区所述公共电极走线与所述数据线同层且平行设置。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
平坦层,位于所述源漏极走线远离所述基板的一侧,所述平坦层包括第一过孔;
公共电极,位于所述平坦层远离所述源漏极走线的一侧,所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极走线电性连接。
在一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述非显示区且与所述公共电极和多条所述公共电极走线电性连接的电极信号线。
在一些实施例中,所述电极信号线与所述源漏极走线同层;在俯视视角下,所述电极信号线呈矩形。
在一些实施例中,所述电极信号线与所述公共电极走线直接电性连接,所述电极信号线与所述公共电极通过所述第一过孔电性连接。
在一些实施例中,在所述源漏极走线与所述电极信号线交叉的区域,所述源漏极走线换线为所述栅极走线。
本申请还提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:
S10:提供一基板,在所述基板表面形成第一金属层,并对所述第一金属层进行图案化得到多条栅极走线;
S20:在所述第一金属层表面形成层间介电层及第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化,形成源漏极走线及公共电极走线;
其中,在俯视视角下,所述栅极走线与所述源漏极走线交叉设置,至少一所述公共电极走线与至少一所述源漏极走线平行且相邻设置。
在一些实施例中,在所述第二金属层的图案化制程中采用干刻蚀工艺形成所述源漏极走线及所述公共电极走线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的