[发明专利]一种双路数控跳频陷波器

权利要求书

1.一种双路数控跳频陷波器，其特征在于，包括第一射频开关、第二射频开关、第三射频开关、第一定向耦合器、第二定向耦合器、第一数控跳频滤波器、第二数控跳频滤波器、第三数控跳频滤波器、第四数控跳频滤波器、第一50Ω负载、第二50Ω负载、第三50Ω负载、第四50Ω负载及单片机主控单元，第二射频开关包括3-4信号通道、1-4信号通道及3-2信号通道；

单片机主控单元分别与第一射频开关、第二射频开关、第三射频开关、第一数控跳频滤波器、第二数控跳频滤波器、第三数控跳频滤波器及第四数控跳频滤波器相连；

射频输入信号输入第一射频开关，第一射频开关的第一信号通道连接第三射频开关的第一信号通道，第一射频开关的第二信号通道连接第二射频开关的端口1，第二射频开关的端口2连接第三射频开关的第二信号通道；

第一射频开关的第三信号通道连接第一定向耦合器的输入端，第一定向耦合器的隔离端连接第二射频开关的端口3，第二射频开关的端口4连接第二定向耦合器的输入端，第二定向耦合器的隔离端连接第三射频开关的第三信号通道；

第一定向耦合器的直通端依次经第一数控跳频滤波器、第一50Ω负载接地，第一定向耦合器的耦合端依次经第二数控跳频滤波器、第二50Ω负载接地，第二定向耦合器的直通端依次经第三数控跳频滤波器、第三50Ω负载接地，第二定向耦合器的耦合端依次经第四数控跳频滤波器、第四50Ω负载接地。

2.如权利要求1所述的双路数控跳频陷波器，其特征在于，第一定向耦合器和第二定向耦合器的频率范围为1MHz～40MHz。

3.如权利要求1所述的双路数控跳频陷波器，其特征在于，第一数控跳频滤波器、第二数控跳频滤波器、第三数控跳频滤波器及第四数控跳频滤波器均为十二路PIN开关电容陈列。

4.如权利要求3所述的双路数控跳频陷波器，其特征在于，第一数控跳频滤波器、第二数控跳频滤波器、第三数控跳频滤波器或第四数控跳频滤波器包括电感L1～L5、电容C1～C2、PIN开关电容阵列K1以及PIN开关电容阵列K2；

前级电路依次经串联的电感L1、电感L2、电感L3、电感L4连接后级电路，电感L1与电感L2的公共端经电容C1接地，PIN开关电容阵列K1与电容C1并联，电感L3与电感L4的公共端经电容C2接地，PIN开关电容阵列K2与电容C2并联，电感L2与电感L3的公共端经电感L5接地。

5.如权利要求4所述的双路数控跳频陷波器，其特征在于，PIN开关电容阵列K1包括电阻R1～R3、电容C3～C4以及PIN二极管D1～D2；

电阻R1的一端依次经PIN二极管D1的负极、PIN二极管D1的正极、PIN二极管D2的负极、PIN二极管D2的正极接地，电阻R1的另一端接入控制信号，PIN二极管D1与PIN二极管D2的公共端经电容C3连接电感L1与电感L2的公共端，电阻R2与PIN二极管D1并联，电阻R3与PIN二极管D2并联，电阻R1与PIN二极管D1负极的公共端经电容C4接地。

6.如权利要求5所述的双路数控跳频陷波器，其特征在于，PIN开关电容阵列K1还包括电感L6以及NMOS管S1；

电感L6接入电感L5与地之间，电感L6靠近电感L5的一端还连接NMOS管S1的漏极，电感L6接地的一端还连接NMOS管S1的源极，单片机主控单元连接NMOS管S1的栅极。

7.如权利要求6所述的双路数控跳频陷波器，其特征在于，PIN开关电容阵列K1还包括电感L7以及电容C5～C6；

电感L7接入电感L6与地之间，电感L5与电感L6的公共端经电容C5接地，电感L7接地的一端还经电容C6接地。