[发明专利]在半导体电镀室清洗基板的方法在审
申请号: | 202010683727.X | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN112242297A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 山姆·李;凯尔·M·汉森;艾里克·J·伯格曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 电镀 清洗 方法 | ||
清洁基板或电镀系统组件可包括在一半导体电镀室清洗一基板的方法。此方法可包括将一头部自一电镀槽移动到一第一位置。头部可包括与头部耦接的一基板。此方法可包括在一第一期间内旋转头部以将槽液甩落回到电镀槽中。一残留量的槽液可能会残留。此方法可包括自一第一液体喷嘴输送一第一液体到基板,以至少部分地排出残留量的槽液使残留量的槽液回到电镀槽中。此方法可包括将头部移动到一第二位置。此方法可包括在一第二期间内旋转头部。此方法还可包括自一第二液体喷嘴输送一第二液体穿过基板。
技术领域
本技术是有关于一种半导体处理中的清洁作业,且特别是有关于一种在电镀系统中执行清洗和回收作业的系统和方法。
背景技术
集成电路的制造是通过一些程序在基板表面上产生复杂图案的材料层。在基板上的形成、蚀刻和其他处理之后,通常透过金属或其他导电材料的沉积或形成,以提供组件之间的电连接。由于此金属化的程序在许多制造作业之后进行,所以在金属化期间引起的问题可能产生昂贵的废基板或晶片。
在晶片或基板上形成金属材料的过程中,可将基板浸没在电镀槽中,然后在基板上形成金属。接着晶片可被升高或以其他方式移动,然后在腔室清洗。可以使用水喷洒在基板表面上进行清洗。在此程序中可能会发生多个问题。例如,水可能会落入电镀槽中而导致稀释,这可能会导致清洗时间被缩短或以其他方式执行以减少稀释。另外,在此清洗过程中,来自槽中的电镀液可能会溅到晶片或腔室组件上,从而导致晶片或腔室受到化学物质的污染。在一些程序中,清洗还可将基板上残留的槽液排出,去除每个基板的一部分的电镀液会增加处理作业相关的成本。
因此,需要提出一种改进的系统和方法,其可用于生产高品质的装置和结构,同时保护基板和电镀槽。本技术可解决这些和其他需求。
发明内容
清洁基板或电镀系统组件可包括在一半导体电镀室清洗一基板的方法。此方法可包括将一头部自一电镀槽移动到一第一位置。头部可包括与头部耦接的一基板。此方法可包括在一第一期间内旋转头部以将槽液甩落回到电镀槽中。一残留量的槽液可能会残留在基板上。此方法可包括自一第一液体喷嘴输送一第一液体到基板,以至少部分地排出残留量的槽液使此残留量的槽液回到电镀槽中。此方法可包括将头部移动到一第二位置。此方法可包括在一第二期间内旋转头部。此方法还可包括自一第二液体喷嘴输送一第二液体穿过基板。
在一些实施方式中,所述第一液体喷嘴及所述第二液体喷嘴各自延伸穿过一堰,所述堰位于所述半导体电镀室附近。所述堰可与一收集通道流体耦合,所述收集通道是由一清洗框在所述电镀槽上方并放射状地向外延伸所定义。所述第一位置可位于所述电镀槽与一高度之间,所述高度是由所述堰的一内缘所定义。所述第二位置可位于所述高度上方,所述高度为所述堰的一内缘所定义。输送所述第一液体可包括以一第一体积流率输送一第一体积的液体。输送所述第二液体可包括以一第二体积流率输送一第二体积的液体。所述第一体积可不同于所述第二体积且所述第一体积流率可不同于所述第二体积流率。所述第二体积可大于所述第一体积,以及所述第二体积流率可大于所述第一体积流率。所述第一液体可为或包括与所述电镀槽相容的一液体。所述第一液体与所述第二液体可为不同的液体。所述第一期间可延长到至少直到所述第一液体被输送至所述基板。在所述第一期间之后,可将所述头部在一第三期间内持续旋转以回收所述残留量的槽液至所述电镀槽中。在所述第一期间,可将所述头部朝着所述第二位置升高。在所述第一期间升高所述头部时,所述第一液体可被甩落以接触一堰,以及所述第一液体喷嘴延伸穿过所述堰。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造