[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以改善现有技术在通过干刻工艺形成导通源漏极与纳米线有源层的过孔时，存在纳米线有源层易于受干刻过程影响，纳米线有源层易受破坏的问题。所述薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板的一侧形成纳米线有源层；在所述纳米线有源层的背离所述衬底基板的一侧形成导电的保护层；在所述保护层的背离所述纳米线有源层的一侧形成绝缘层；采用干刻工艺对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露所述保护层的第一区域的第一过孔，以及暴露所述保护层的第二区域的第二过孔；在所述绝缘层的背离所述保护层的一侧形成源漏极层，所述源漏极层包括第一电极和第二电极。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

非晶硅(a-Si)薄膜晶体管由于迁移率(1cm²V^-1S^-1)太小，已经无法满足8K技术需求；低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术受限于激光光束(Beam)尺寸以及工艺成本，使用受限。平面硅纳米线由于其高迁移率(100cm²V^-1S^-1)、大面积制备、成本低的特点，成为a-Si产线升级潜在应用技术。另外，硅纳米线拥有良好的延展性和弹性，可以应用在柔性/可拉伸电子领域(如可穿戴电子、柔性显示、仿生电子和人造皮肤等新型应用)。

但现有技术在通过干刻工艺形成导通源漏极与纳米线有源层的过孔时，存在易于受干刻过程影响，纳米线有源层易受破坏的问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以改善现有技术在通过干刻工艺形成导通源漏极与纳米线有源层的过孔时，存在纳米线有源层易于受干刻过程影响，纳米线有源层易受破坏的问题。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在衬底基板的一侧形成纳米线有源层；

在所述纳米线有源层的背离所述衬底基板的一侧形成导电的保护层；

在所述保护层的背离所述纳米线有源层的一侧形成绝缘层；

采用干刻工艺对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露所述保护层的第一区域的第一过孔，以及暴露所述保护层的第二区域的第二过孔，所述第一区域和所述第二区域不交叠；

在所述绝缘层的背离所述保护层的一侧形成源漏极层，所述源漏极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极在所述第一过孔与所述纳米线有源层电性导通，所述第二电极通过所述第二过孔与所述纳米线有源层电性导通。

在一种可能的实施方式中，在采用干刻工艺对所述绝缘层进行刻蚀之后，以及在所述绝缘层的背离所述保护层的一侧形成源漏极层之前，所述制作方法还包括：

采用湿刻工艺对所述保护层进行刻蚀，去除所述第一区域的所述保护层，以及去除所述第二区域的所述保护层。

在一种可能的实施方式中，所述在衬底基板的一侧形成纳米线有源层，包括：

在所述衬底基板的一侧形成具有至少一个引导凹槽的图案化的第一膜层；

在所述引导凹槽的一端形成金属引导颗粒；

在所述金属引导颗粒的背离所述第一膜层的一侧形成非晶硅薄膜，并进行退火，以在所述引导凹槽内形成硅纳米线；

对退火后的所述非晶硅薄膜进行图案化，以形成纳米线有源层，其中，所述纳米线有源层的图案与所述第一膜层的互补。

在一种可能的实施方式中，所述在所述引导凹槽的一端形成金属引导颗粒，包括：

在所述第一膜层的背离所述衬底基板的一侧形成第二薄膜；