[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

存储结构，包括

存储堆叠部，

存储单元互连部，包括配置为可电连接到所述存储堆叠部的多个上导电图案，以及

存储单元绝缘部，围绕所述存储堆叠部和所述存储单元互连部；

外围电路结构，包括

外围电路板，

在所述外围电路板上的外围电路区域，以及

外围电路互连部，包括在所述外围电路区域和所述存储结构之间的多个下导电图案并接合到所述存储单元互连部；

多个导电接合结构，在第一区域中在所述存储单元互连部和所述外围电路互连部之间的边界上，所述第一区域在垂直方向上与所述存储堆叠部重叠，所述多个导电接合结构是将从所述多个上导电图案当中选择的多个第一上导电图案与从所述多个下导电图案当中选择的相应多个第一下导电图案接合的产物；以及

贯通电极，在第二区域中穿透所述存储单元绝缘部和所述外围电路板中的一个并在所述垂直方向上延伸到从所述多个下导电图案当中选择的第二下导电图案，所述第二区域在所述垂直方向上与所述存储单元绝缘部重叠。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述贯通电极穿透所述存储单元绝缘部并延伸到所述第二下导电图案。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述贯通电极穿透所述外围电路板和所述外围电路区域并延伸到所述第二下导电图案。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述第一下导电图案和所述第二下导电图案处于不同的高度。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述第一下导电图案和所述第二下导电图案处于相同的高度。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述第一下导电图案和所述第二下导电图案包括不同的金属。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述第一下导电图案和所述第二下导电图案包括相同的金属。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述第一下导电图案和所述第二下导电图案中的每个具有其在水平方向上的宽度随着更靠近所述存储结构而增大的形状。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述第一下导电图案具有其在水平方向上的宽度随着更靠近所述存储结构而增大的形状，并且

所述第二下导电图案具有其在所述水平方向上的宽度随着更靠近所述存储结构而减小的形状。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括

导电垫，与所述贯通电极接触并在水平方向上延伸到所述存储结构的外部，

其中所述导电垫包括在所述垂直方向上与所述存储堆叠部重叠的部分。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括

导电垫，与所述贯通电极接触并在水平方向上延伸到所述外围电路结构的外部，其中所述导电垫与所述外围电路区域间隔开，并且所述外围电路板在所述导电垫和所述外围电路区域之间。