[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸，并且包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

技术领域

实施方式涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

由于电子技术的发展和最近按比例缩小的趋势，半导体芯片可以具有高的集成密度和低功耗。为了实现这些特性，可以减小半导体器件的特征尺寸。

发明内容

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的导电图案；在导电图案上的电阻图案；上蚀刻停止膜，与电阻图案间隔开，平行于电阻图案的顶表面延伸，并且包括第一金属；下蚀刻停止膜，在导电图案上，平行于第一层间绝缘膜的顶表面延伸并包括第二金属；以及在上蚀刻停止膜和下蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜，其中从第二层间绝缘膜的顶表面到上蚀刻停止膜的顶表面的距离小于从第二层间绝缘膜的顶表面到下蚀刻停止膜的顶表面的距离。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：基板；在基板上的层间绝缘膜中的第一连接线；在层间绝缘膜上的电阻图案；在电阻图案的顶表面上的第一蚀刻停止膜；第二蚀刻停止膜，在层间绝缘膜上，与层间绝缘膜的顶表面平行地延伸，在电阻图案的侧壁上以及在第一蚀刻停止膜的顶表面上，并且包括金属；以及第一通路，穿透第二蚀刻停止膜，第一通路连接到第一连接线。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中的第一连接线；在第一层间绝缘膜上的第一蚀刻停止膜；电阻图案，在第一蚀刻停止膜上并包括钛氮化物；第二蚀刻停止膜，在电阻图案上并与电阻图案的顶表面接触，第二蚀刻停止膜不延伸到电阻图案的侧壁上；第三蚀刻停止膜，沿着第一蚀刻停止膜的顶表面、电阻图案的侧壁以及第二蚀刻停止膜的侧面和顶表面延伸，第三蚀刻停止膜包括铝；在第三蚀刻停止膜上的第二层间绝缘膜；在第二层间绝缘膜中的线通路，该线通路连接到第一连接线并穿过第三蚀刻停止膜和第一蚀刻停止膜；在第二层间绝缘膜中的电阻通路，该电阻通路连接到电阻图案并穿过第三蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜；以及在线通路和电阻通路上的第二连接线，第二连接线连接到线通路和电阻通路中的至少一个。

实施方式可以通过提供一种制造半导体器件的方法来实现，该方法包括：在第一层间绝缘膜上顺序地形成电阻图案和第一蚀刻停止膜；在第一层间绝缘膜上和在第一蚀刻停止膜上形成第二蚀刻停止膜，使得第二蚀刻停止膜包括第一金属；在第二蚀刻停止膜上形成第二层间绝缘膜；在第二层间绝缘膜上形成硬掩模图案，使得硬掩模图案包括第二金属；通过使用硬掩模图案形成暴露第二蚀刻停止膜的通路沟槽；通过同时去除硬掩模图案和第二蚀刻停止膜的由通路沟槽暴露的部分，暴露第一蚀刻停止膜的部分；通过去除第一蚀刻停止膜的被暴露部分而暴露电阻图案；以及通过填充通路沟槽而形成与电阻图案连接的通路。

附图说明

通过参照附图详细描述示范性实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出根据本公开的一些实施方式的半导体器件的剖视图；

图2A和图2B示出由图1的虚线围绕的区域的放大剖视图；

图3示出根据本公开的一些实施方式的半导体器件的剖视图；

图4示出根据本公开的一些实施方式的半导体器件的剖视图；

图5示出根据本公开的一些实施方式的半导体器件的剖视图；

图6示出根据本公开的一些实施方式的半导体器件的剖视图；