[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202010684640.4 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112242424A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 金建植;崔钟炫;李尙训 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
一种显示设备可以包括基板以及布置在基板上的像素电路,基板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域。像素电路可以包括布置在第一区域中的第一像素电路以及布置在第一区域中的第二像素电路。显示设备可以包括布置在基板上的显示元件。显示元件可以包括可以布置在第一区域中并且电连接到第一像素电路的第一显示元件以及可以布置在第二区域中并且电连接到第二像素电路的第二显示元件。公开了各种实施例。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年7月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0086636号的优先权和权益,其全部内容通过引用被合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种其中可以最大化图像的输出区域的显示设备。
背景技术
作为用于输出图像的装置的显示设备可以被广泛用于各个领域中。由于其小的厚度和轻的重量,显示设备正在被更广泛地使用。
显示设备可以包括由于设计原因而无法在屏幕上输出图像的区域,即,死区。例如,显示设备可以包括在其中设置有用于驱动显示器的电路部件的区域或其中设置有诸如传感器的电子元件的区域周围的死区。
应当理解,此背景技术部分意在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而,此背景技术部分(以及其他部分)也可包括不构成在本文中公开的主题的对应有效申请日之前相关领域的技术人员已经知晓或理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
为了美感印象和方便使用,可能期望最大化可以输出图像的屏幕的区域并减少显示设备的死区。一个或多个实施例可以包括显示设备,其中像素的显示元件和电路元件可以被设置在不同的区域中,以最大化图像的输出区域。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中明白,或者可以通过本公开的实施例的实践来领会。
根据一个或多个实施例,显示设备可以包括:基板,包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域;以及布置在基板上的像素电路,并且像素电路包括布置在第一区域中的第一像素电路以及布置在第一区域中的第二像素电路。显示设备可以包括布置在基板上的显示元件,显示元件包括可以布置在第一区域中并且电连接到第一像素电路的第一显示元件以及可以布置在第二区域中并且电连接到第二像素电路的第二显示元件。
显示元件可以各自包括像素电极、布置在像素电极上的对电极以及位于像素电极与对电极之间的中间层。第二显示元件的像素电极可以从第二区域延伸到第一区域并且电连接到第一区域中的第二像素电路。
显示设备可以进一步包括位于像素电路与显示元件之间的接触金属层,其中接触金属层可以从第一区域延伸到第二区域,并且电连接布置在第一区域中的第二像素电路和布置在第二区域中的第二显示元件。
第一像素电路与第二像素电路之间的距离可以小于第一显示元件与第二显示元件之间的距离。
布置在第一区域中的像素电路的数量可以大于布置在第一区域中的显示元件的数量。
布置在第一区域中的像素电路的数量可以与布置在第一区域和第二区域中的显示元件的数量相对应。
像素电路可以各自包括包含半导体层的薄膜晶体管、与半导体层重叠的栅电极以及连接到半导体层的电极层。第二显示元件的像素电极可以电连接到第二像素电路的电极层。
每单位面积的像素电路的数量可以大于每单位面积的显示元件的数量。
第二显示元件可以被布置成与可以布置在第二区域中的基板上的驱动电路和连接线中的至少一个重叠。
第一像素电路和第一显示元件可以被布置成在基板上彼此重叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010684640.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:荧光纳米材料感测器和相关方法
- 下一篇:用于光调制器图像调整的楔形机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的