[发明专利]石墨烯基电致红外发射加热装置在审
申请号: | 202010685407.8 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN113950172A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 刘忠范;张辉;李新连;刘珊;程熠;黄可闻 | 申请(专利权)人: | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
主分类号: | H05B3/14 | 分类号: | H05B3/14 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 司丽琦;于宝庆 |
地址: | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 烯基电致 红外 发射 加热 装置 | ||
1.一种石墨烯基电致红外发射加热装置,其特征在于,包括:
壳体;
石墨烯基发射源,位于所述壳体围成的腔室内,所述石墨烯基发射源由基底和所述基底表面的石墨烯组成;及
双电极,连接于所述石墨烯基发射源的两端,以对所述石墨烯基发射源施加电压进行红外发射并发热。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置的红外发射波长为1μm~25μm。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电压为直流电压3V~24V或交流电压220V~380V,所述双电极之间的距离为1mm~2000mm。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述发热后的温度达30℃~1000℃。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述石墨烯为单层石墨烯或多层石墨烯,所述石墨烯层的厚度大于0.3nm,电阻率为10-3Ω·cm~103Ω·cm。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述基底材料为工作温度大于200℃的耐高温材料,所述基底材料选自石英、金属、金属氧化物、陶瓷、氧化铝和碳材料中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述壳体材料为工作温度大于1000℃的耐高温玻璃或石英,所述壳体材料的透光率大于95%。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述腔室内为真空环境。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述腔室内充入惰性气体,真空度小于50Pa,所述惰性气体选自氮气、氩气和氦气中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述石墨烯采用真空溅镀、印刷、涂覆、氧化还原或化学气相沉积的方法形成于所述基底表面,所述石墨烯与所述基底之间的附着力等级达到5B。
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