[发明专利]一种N型单晶生长用半导体石墨热场

权利要求书

1.一种N型单晶生长用半导体石墨热场，包括石墨热场罐体（1）和控制面板（15），其特征在于：所述石墨热场罐体（1）内侧壁以及内侧的顶端和底端均设置有保温层（2），所述石墨热场罐体（1）顶部一侧的中间位置处设置有进料仓（19），所述进料仓（19）的一端延伸至石墨热场罐体（1）的内部，所述进料仓（19）内部的中间位置处分别设置有电磁隔离阀（17）和称重装置（18），且称重装置（18）位于电磁隔离阀（17）的正上方，所述石墨热场罐体（1）内侧壁的两端对称分别设置有加热板支架A（3）和预热锅支架（4），且加热板支架A（3）位于预热锅支架（4）的正上方，所述加热板支架A（3）远离石墨热场罐体（1）的一端设置有加热板A（16），所述预热锅支架（4）远离石墨热场罐体（1）的一端设置有预热锅（14），所述预热锅（14）内部的中间位置处设置有过滤隔板（12），所述预热锅（14）的底部均匀设置有三组输料管（13），所述石墨热场罐体（1）内侧底端的中间位置处设置有锅体底座（8），所述锅体底座（8）的顶部位置处设置有石墨坩埚（9），所述石墨坩埚（9）的顶部位置处设置有石英锅（5），所述石英锅（5）底部的中间位置处设置有两组石英隔板（6），所述石英锅（5）底部的一侧设置有输出导管（7），且输出导管（7）远离石英锅（5）的一端延伸至石墨热场罐体（1）的外侧，石墨热场罐体（1）内侧底端的边缘位置处设置有加热板支架B（10），所述加热板支架B（10）的顶部位置处设置有加热板B（11），所述控制面板（15）通过导线分别与加热板B（11）、加热板A（16）、电磁隔离阀（17）进行电连接。

2.根据权利要求1所述的一种N型单晶生长用半导体石墨热场，其特征在于：所述石英隔板（6）与石英锅（5）的接触端以及石英隔板（6）的表面均设置有通孔。

3.根据权利要求1所述的一种N型单晶生长用半导体石墨热场，其特征在于：所述输出导管（7）的外侧设置有保温棉。

4.根据权利要求1所述的一种N型单晶生长用半导体石墨热场，其特征在于：所述保温层（2）与石墨热场罐体（1）之间预留有伸缩间距。

5.根据权利要求1所述的一种N型单晶生长用半导体石墨热场，其特征在于：所述加热板支架A（3）、预热锅支架（4）、加热板支架B（10）均为耐高温材料。

6.根据权利要求1所述的一种N型单晶生长用半导体石墨热场，其特征在于：所述进料仓（19）与石墨热场罐体（1）之间设置有密封垫圈。