[发明专利]NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质

说明书

本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，块分组信息包括分组总数以及各分组的块总数；根据各分组的块总数分别确定各分组包含的块的编号；根据NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各分组确定一一对应的目标擦写次数；目标擦写次数大于块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；分别对各分组包含的块进行对应次数的擦写操作；分别生成与各目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。本申请对不同分组的块进行不同次数的擦写和错误率统计，不仅保障了结果正确率，并且可获取NAND闪存的擦写能力特性，全面客观地进行擦写能力评估。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别涉及一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

NAND闪存即NAND Flash是一种非易失性存储器，目前已广泛应用于各种存储场合，占领了大量的消费市场。在应用过程中，理想的闪存存储器应该满足尺寸小、操作速度快、编程电压低、抗擦写能力强、保持时间久等特点。

NAND FLash由多个block即“块”构成，块用于存储数据，但是其每一次擦写操作都会减少自身的寿命。如果block在使用一段时间后，其保存电荷的能力将逐渐削弱，被不停地擦写所耗尽，block里面的数据就会开始出错，无法被可靠地继续使用。因此，在NANDFlash出厂前，对其进行详尽地损耗测试并给出NAND Flash的寿命值是非常有必要的。

相关技术中一般是针对NAND Flash中某个特定的块进行反复擦写操作，在擦写多次后进行耗损状态的评测以及错误率的计算。如此，一方面，该测试方法缺少其他擦写次数结果的有效对比；其次，由于仅针对一个块进行测试，因此其结果不具有代表性，无法排除在出厂的时候某些块本身性能较弱的情况。

鉴于此，提供一种解决上述技术问题的方案，已经是本领域技术人员所亟需关注的。

发明内容

本申请的目的在于提供一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，以便全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估，保障测试结果的正确率。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法，包括：

确定所述NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，所述块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数；

根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号；

根据所述NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应依次增大的的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于所述块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；

分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；

分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

可选地，各个分组的块总数均为M；其中，M·N≤T，N为所述分组总数，T为所述NAND闪存中的块总数。

可选地，所述根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号，包括：

根据预设编号计算公式依次确定各个分组所包含的各个块的块编号，所述预设编号计算公式为：

a_ij＝a_i1+step·(j-1)；

其中，a_ij为第i分组中第j个块的编号；a_i1为第i分组中第1个块的编号；step为步长参数。

可选地，所述步长参数为：