[发明专利]对准标记

说明书

本发明提供一种对准标记，包括至少一个对准标记单元，每个对准标记单元包括沿第一方向设置的多个对准分割段，每个对准分割段被设置为第一图形结构或第二图形结构，并且所述第一图形结构与所述第二图形结构为凹槽结构和凸起结构中的一者。所述多个对准分割段可响应入射光线而产生多个不同级次衍射光，且第0级衍射光的强度不大于10，第3级衍射光的强度不小于50。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种对准标记。

背景技术

对准标记(alignment mark)在半导体制程中扮演着非常重要的角色。在晶圆(wafer)制作过程中，为了使光掩模板(又称光罩)上的图案能够正确的转移到晶圆上，关键步骤在于光掩模版与晶圆的对准，尤其在半导体工艺日渐纯熟的情况下，对于对准标记的精准度要求也变得更加严格。

当光线入射到对准标记时，响应入射光线的光线会在不同的角度产生具有不同强度(晶圆质量)的不同级次衍射光，通过特定的光学结构将不同级次衍射光分离，并以特定级次衍射光来实现光掩模版与晶圆的对准。虽然高级次衍射光对于光掩模版与晶圆的对准具有较佳的精准度，但往往会由于第0级衍射光具有较强的能量而影响并降低其它更高级次衍射光(例如第3级衍射光)的对比度，从而降低对准精度。因此，有必要提供一种对准标记，以解决现有技术存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对准标记，以提升光掩模版与晶圆的对准精度。

为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种对准标记，包括：

至少一个对准标记单元，每个对准标记单元包括有沿第一方向设置的多个对准分割段，每个对准分割段被设置为第一图形结构或是第二图形结构，并且所述第一图形结构与所述第二图形结构为凹槽结构和凸起结构中的一者；

其中，所述多个对准分割段可响应入射光线而产生多个不同级次衍射光，且第0级衍射光的强度不大于10，第3级衍射光的强度不小于50。

进一步地，所述多个对准分割段具有18个对准分割段。

进一步地，每个对准分割段沿所述第一方向上的宽度约为0.88微米或是0.97微米。

进一步地，第1个、第2个、第6个、第7个、第12个、第13个、第14个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第3个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第4个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，第1个、第2个、第6个、第7个、第12个、第13个、第17个、第18个对准分割段为所述第一图形结构，并且第3个、第4个、第5个、第8个、第9个、第10个、第11个、第14个、第15个、第16个对准分割段为所述第二图形结构，其中所述第1个至第18个对准分割段依序为沿着所述第一方向排列的对准分割段。

进一步地，所述多个对准分割段具有12个对准分割段。

进一步地，每个对准分割段沿所述第一方向上的宽度约为1.33微米或是1.46微米。