[发明专利]封装件结构及其形成方法

说明书

封装件结构包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线，将桥式管芯密封在其中的密封剂，以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第一封装组件和第二封装组件接合至再分布线。第一封装组件和第二封装组件通过再分布线和桥式管芯电互连。本发明的实施例还涉及形成封装件结构的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及封装件结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路的发展，越来越多的功能被内置到集成电路封装件中。因此，对在相邻器件管芯和封装件之间的局部通信和互连的要求也变得更加苛刻。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种封装件结构，包括：桥式管芯，包括：半导体衬底；以及互连结构，位于所述半导体衬底上方，其中，所述互连结构包括介电层和位于所述介电层中的导线；密封剂，将所述桥式管芯密封在其中；再分布结构，位于所述桥式管芯上方，其中，所述再分布结构中包括再分布线；以及第一封装组件和第二封装组件，接合至所述再分布线，其中，所述第一封装组件和所述第二封装组件通过所述再分布线和所述桥式管芯电互连。

本发明的另一些实施例提供了一种封装件结构，包括：第一再分布结构，所述第一再分布结构中包括第一再分布线；桥式管芯，位于所述第一再分布结构上方，其中，所述桥式管芯包括：半导体衬底；以及第一通孔，贯穿所述半导体衬底；第二通孔，位于所述第一再分布结构上方；密封剂，将所述桥式管芯和所述第二通孔密封在其中；第二再分布结构，位于所述桥式管芯上方，并且所述第二再分布结构中包括第二再分布线，其中，所述第一再分布线和所述第二再分布线通过所述第一通孔和所述第二通孔互连；以及第一封装组件和第二封装组件，位于所述第二再分布结构上方并且接合至所述第二再分布结构，其中，所述第一封装组件和所述第二封装组件通过桥式管芯电互连。

本发明的又一些实施例提供了一种形成封装件结构的方法，包括：将桥式管芯密封在密封剂中，所述桥式管芯包括：半导体衬底；以及互连结构，位于所述半导体衬底上方，其中，所述互连结构包括介电层和位于所述介电层中的金属线；在所述桥式管芯上方形成第一再分布结构，其中，所述第一再分布结构包括第一再分布线；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至所述第一再分布线，其中，所述第一封装组件和所述第二封装组件通过所述第一再分布线和所述桥式管芯电互连。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图7示出了根据一些实施例在形成包括桥式管芯的封装件的中间阶段的截面图。

图8至图12示出了根据一些实施例在形成包括桥式管芯的封装件的中间阶段的截面图。

图13至图18示出了根据一些实施例在形成包括桥式管芯的封装件的中间阶段的截面图。

图19示出了根据一些实施例包括桥式管芯的封装件的截面图。

图20和图21示出了根据一些实施例包括桥式管芯的封装件的平面图。

图22示意性地示出了根据一些实施例的桥式管芯的布线方案。

图23和图24示出了根据一些实施例在包括通孔的桥式管芯的工艺期间的中间阶段的截面图。

图25示出了根据一些实施例用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式