[发明专利]一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法在审
| 申请号： | 202010686412.0 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112002637A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 田亮;杨霏;夏经华;查祎英;田丽欣 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 电力 电子器件 裂片 方法 | ||
1.一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法，其特征在于，包括：
将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽；
采用裂片机从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽进行裂片，形成裂片道；
基于所述裂片道对所述晶圆进行扩膜。
2.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，在将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽之前，包括：
为所述晶圆设计光刻版；
基于所述光刻版，设计刻蚀区域。
3.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽，包括：
将所述晶圆放在刻蚀机腔体内；
基于刻蚀机腔体内调整好的刻蚀气体配比、刻蚀腔体压强、刻蚀功率和背面冷却温度，利用刻蚀机进行刻蚀，形成具有一定刻蚀深度和刻蚀侧壁角度的裂片凹槽。
4.根据权利要求3所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，所述刻蚀深度10-20um，刻蚀侧壁角度80-85度。
5.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，采用裂片机从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽进行裂片，形成裂片道，包括：
将所述晶圆正面贴上蓝膜放入裂片机载台上；
利用裂片机上方的劈刀，从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽处，采用敲击锤对所述晶圆进行敲击，使之受力裂开形成裂片道。
6.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，基于所述裂片道对所述晶圆进行扩膜，包括：
利用扩膜机沿所述裂片道进行扩膜操作。
7.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，所述裂片凹槽包括单个凹槽、多个组合凹槽或多台阶凹槽。
8.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，所述裂片凹槽深度为0.3-200um。
9.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，所述裂片凹槽宽度为0.5-80um。
10.根据权利要求1所述的晶圆的裂片方法，其特征在于，所述晶圆材料包括碳化硅、氮化镓或金刚石。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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