[发明专利]显示面板的制造方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010686531.6 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111785685B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 夏曾强 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置,显示面板的制造方法包括:在基板上形成像素定义层,像素定义层包括本体部及阵列分布的多个像素开口;在像素定义层表面形成官能团,选用等离子体处理像素定义层,等离子体至少包括一种氧化还原气体,以在像素定义层表面形成能够诱导有机分子聚集的官能团;在像素定义层背离基板的一侧形成载流子层。本发明实施例能够减少横向电流,避免电流串扰引起的显示画面低灰阶色偏,提高显示面板的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)面板、有机发光二极管显示(OrganicLight Emitting Display,OLED)面板以及利用发光二极管(Light Emitting Diode,LED)器件的显示面板等平面显示面板因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
显示面板中由于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的启亮电压存在差异,当点亮高启亮电压的子像素时,电流通过载流子层横向流通,从而微微点亮启亮电压低的子像素,导致显示画面出现低灰阶色偏,出现显示异常。
因此,亟需一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置,旨在提高显示面板的显示效果。
本发明实施例一方面提供了一种显示面板的制造方法,包括:
在基板上形成像素定义层,像素定义层包括本体部及阵列分布的多个像素开口;
在像素定义层表面形成官能团,选用等离子体处理像素定义层,等离子体至少包括一种氧化还原气体,以在像素定义层表面形成能够诱导有机分子聚集的官能团;
在像素定义层背离基板的一侧形成载流子层。
根据本发明的一个方面,在像素定义层背离基板的一侧形成载流子层的步骤中:载流子层包括阻隔部和导流部,阻隔部设置于本体部表面,导流部位于像素开口内,至少部分阻隔部中的分子与官能团键合形成分子簇,以使阻隔部的横向电导率小于导流部的横向电导率。
根据本发明的一个方面,在像素定义层表面形成官能团的在步骤之前还包括:
预处理步骤,选用等离子体处理像素定义层;
且在预处理步骤中等离子体处理的功率大于在像素定义层表面形成官能团的步骤中等离子体处理的功率。
根据本发明的一个方面,在预处理步骤中,等离子体处理的功率为500W~10000W,等离子体处理的时间为1s~10min;
在像素定义层表面形成官能团的步骤中,等离子体处理的功率为100W~1000W,等离子体处理的时间为1s~10min;
根据本发明的一个方面,在预处理步骤中,等离子体处理的功率为1000W~5000W。
根据本发明的一个方面,在像素定义层表面形成官能团的步骤中还包括:将设置有像素定义层的基板置于等离子处理腔,向等离子处理腔通入等离子体,且通入等离子体的流速为5L/s~50L/s。
根据本发明的一个方面,在像素定义层表面形成官能团的步骤中,选用等离子体处理像素定义层之后进一步还包括:
持续注入等离子体阶段,以5L/s~50L/s的流速持续向等离子处理腔通入等离子体,持续时间为1s~10min。
根据本发明的一个方面,在持续注入等离子体阶段之后还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造