[发明专利]湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010686651.6 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111799168A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张泉;杨谊;王春伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供一湿法刻蚀设备，所述湿法刻蚀设备包括至少两个工艺腔；
在每个所述工艺腔内设置一半导体衬底；
设定各所述工艺腔的作业顺序；
按设定的所述作业顺序，将加热后的刻蚀液通入各所述工艺腔内；以及，
按设定的所述作业顺序，对各所述工艺腔内的所述半导体衬底执行刻蚀工艺。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在设定的所述作业顺序中，作业顺序相邻的两个所述工艺腔之间具有一定的作业间隔时间。
3.如权利要求2所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，作业顺序相邻的两个所述工艺腔之间的作业间隔时间至少为50s。
4.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀设备包括一储液罐、第一通道和第二通道，所述刻蚀液位于所述储液罐内，所述储液罐分别与所述第一通道和所述第二通道连通，各所述工艺腔均与所述第一通道和所述第二通道连通。
5.如权利要求4所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀设备还包括一加热器，所述加热器设置于所述第一通道上。
6.如权利要求5所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在对各所述工艺腔内的所述半导体衬底执行刻蚀工艺时，所述刻蚀液自所述储液罐进入所述第一通道，经所述加热器加热后，通入各所述工艺腔内。
7.如权利要求6所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第一通道上设置有多个喷洒器，加热后的所述刻蚀液通过多个所述喷洒器分别通入各所述工艺腔内。
8.如权利要求7所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，一个所述喷洒器与一个所述工艺腔对应，且所述喷洒器位于所述工艺腔内的所述半导体衬底的上方。
9.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液为有机溶液。
10.如权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在对所述半导体衬底执行刻蚀工艺之后，所述湿法刻蚀方法还包括，对所述半导体衬底执行清洗工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
