[发明专利]一种微波等离子体设备用的基片台及设备有效
申请号: | 202010686863.4 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111962048B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 满卫东;龚闯;朱长征;吴剑波 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/458;C23C16/27 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 周琼 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 等离子体 备用 基片台 设备 | ||
1.一种微波等离子体设备用的基片台,用于承载圆片或者方形薄片,其特征在于,所述基片台分成上下两个部分:上半部由单一金属材料或者相同合金材料加工而成,下半部为带水冷却的复合材料组成,其中,所述下半部的整体呈圆柱形,主体由金属制成,所述下半部从上往下依次有一个圆盘状导热材料,盘式冷却水管和金属支撑主体构成,在圆盘状导热材料,盘式冷却水管和金属支撑主体之间用一种低熔点合金金属填充,以保持冷却水管与基片台下半部有良好的导热接触,同时固定圆盘状导热材料。
2.根据权利要求1所述的基片台,其特征在于:所述上半部的上表面成圆形,由围绕圆周的金属圆环和中心部位的金属圆台组成,圆环与圆台之间有一个凹槽,凹槽的宽度在1.0-5.0毫米之间。
3.根据权利要求2所述的基片台,其特征在于:所述上半部的圆环的高度比圆台的高度高,圆环高度比圆台高度高2.0-4.0毫米之间。
4.根据权利要求2所述的基片台,其特征在于:所述上半部的下端面有一个圆形凹槽,用于与所述基片台的下半部接合。
5.根据权利要求1所述的基片台,其特征在于:所述下半部靠近其上端的外圆处有一个环形凹槽,凹槽里面填充有金属网状填充物。
6.根据权利要求5所述的基片台,其特征在于:当所述基片台的上半部、下半部安装接合后,上部的下缘与下部的金属网状填充物接触,能避免上部与下部接缝处产生微波放电。
7.一种制备金刚石单晶片的设备,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的基片台:还包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子体反应室,其中,所述基片台设置在等离子体反应室中,工作过程中微波系统产生的微波能进入等离子体反应室,在基片台上方激发供气系统提供的气体产生等离子体球,其中,所述下半部的整体呈圆柱形,主体由金属制成,所述下半部从上往下依次有一个圆盘状导热材料,盘式冷却水管和金属支撑主体构成,在圆盘状导热材料,盘式冷却水管和金属支撑主体之间用一种低熔点合金金属填充,以保持冷却水管与基片台下半部有良好的导热接触,同时固定圆盘状导热材料。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的