[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有凹槽，所述凹槽侧壁包括自所述凹槽底部向上延伸的第一子侧壁以及第二子侧壁，所述第一子侧壁位于所述第二子侧壁与所述凹槽底部之间；

以低于预设值的流量向所述基底表面吹送第一前驱物，以使所述第一前驱物附着在所述基底顶部表面以及所述第二子侧壁；

向所述基底表面吹送第二前驱物，以使所述第二前驱物与所述第一前驱物反应生成介质层；

向所述基底表面交替吹送所述第一前驱物和所述第二前驱物，以形成多层所述介质层，直至封堵所述凹槽顶部开口，所述第一子侧壁与所述介质层以及所述凹槽底部围成的区域构成空隙。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成多层所述介质层的过程中，以逐层递增的流量吹送所述第一前驱物。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底表面具有极性基团；在吹送所述第一前驱物的工艺步骤中，所述极性基团与所述第一前驱物发生反应，固定所述第一前驱物的功能基团。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层表面具有极性基团；在吹送所述第一前驱物的工艺步骤中，所述极性基团与所述第一前驱物发生反应，固定所述第一前驱物的功能基团。

5.根据权利要求3或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述极性基团包括羟基。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅，所述第一前驱物或所述第二前驱物中的至少一者包括含硅烷醇基的有机物。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硅烷醇基的有机物包括3-叔丁基硅烷醇基。

8.根据权利要求1或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一前驱物包括具有催化作用的金属有机物。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属有机物中的金属材料包括铝、镧、锆或铪中的至少一者。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一前驱物和所述第二前驱物反应形成所述介质层的反应温度为225℃～250℃。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第一子侧壁的高度与第二子侧壁的高度比为1～9。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底和位于所述基底内的凹槽，所述凹槽侧壁包括自所述凹槽底部向上延伸的第一子侧壁以及第二子侧壁，所述第一子侧壁位于所述第二子侧壁和所述凹槽底部之间；

多层介质层，所述多层介质层封堵所述凹槽顶部开口，且在所述凹槽侧壁朝向所述凹槽中心轴线的方向上依次层叠；

空隙，所述空隙由所述第一子侧壁与所述凹槽底部以及所述多层介质层围成的区域构成。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述基底内具有位于所述凹槽相对两侧的导电结构。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述多层介质层内包含金属材料，所述金属材料包括铝、镧、锆或铪中的至少一者。