[发明专利]使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

电路板，具有表面；

芯片，在所述电路板的所述表面上，所述芯片具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

多个焊料球，被电耦合到所述电路板和所述芯片的所述第一侧，所述多个焊料球被彼此间隔；以及

底层填充材料，接触所述电路板、所述芯片和所述焊料球，所述底层填充材料具有与所述电路板的所述表面相对的第一表面，和横向于所述第一表面的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述芯片的所述第二侧和所述底层填充材料的所述第一表面大致共面。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中所述侧壁和所述底层填充材料的所述第一表面彼此垂直。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其中所述底层填充材料的所述侧壁与所述电路板的所述表面大致垂直，并且所述底层填充材料的所述第一表面与所述电路板大致平行。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述底层填充材料在间隔的所述焊料球之间延伸，并且横向地包围所述焊料球。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，还包括：

第一接触焊盘，在所述电路板的所述表面上，所述多个焊料球中的至少一个焊料球被安装在所述第一接触焊盘上。

7.根据权利要求6所述的半导体设备，还包括：

第二接触焊盘，在所述芯片的所述第一侧上，所述多个焊料球中的至少一个焊料球被连接到所述第二接触焊盘和所述芯片。

8.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述电路板是柔性印刷电路板。

9.根据权利要求1所述的半导体设备，其中在所述第一侧与所述第二侧之间的所述芯片的厚度小于50μm。

10.一种方法，包括：

将硅晶片附接到具有导电焊盘的电路板的表面；

通过移除所述硅晶片的一部分，形成凹进，所述凹进暴露所述导电焊盘和所述电路板的所述表面的第一部分；

将芯片至少部分地定位在所述凹进中，所述芯片具有面向所述电路板的第一表面；

将底层填充材料分配在所述凹进中，所述底层填充材料大致填充在所述硅晶片与所述芯片之间的空间，以及填充在所述凹进中的所述芯片与所述电路板的所述表面之间的空间；

通过移除所述芯片的与所述第一表面相对的部分，形成所述芯片的第二表面；以及

通过移除所述硅晶片，暴露所述电路板的所述表面的第二部分。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括将所述芯片电连接到所述电路板的所述导电焊盘。

12.根据权利要求10所述的方法，其中通过蚀刻所述芯片和所述硅晶片，所述芯片的所述第二表面的形成和所述电路板的所述表面的第二部分的暴露被同时地执行。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻包括等离子切割。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述芯片的所选择的厚度小于50μm。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述芯片的所述第一表面是所述芯片的有源表面。

16.根据权利要求10所述的方法，其中在所述硅晶片与所述芯片之间的所述空间小于50μm。