[发明专利]制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法在审
申请号: | 202010687745.5 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN112731761A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 安兴培;朴商五;丁成坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;赵莎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 模组 方法 半导体器件 | ||
1.一种制造光掩模组的方法,所述方法包括:
准备掩模布局,所述掩模布局包括在第一区域中彼此间隔开的多个第一布局图案,并且所述多个第一布局图案中的彼此相邻的三个第一布局图案的中心点之间的距离分别具有不同的值;
将所述多个第一布局图案中的成对的第一布局图案进行分组,在所述成对的第一布局图案中彼此相邻的两个第一布局图案的中心点之间的距离不具有所述不同的值中的最小值,并将所述掩模布局划分为至少两个掩模布局图案;以及
形成包括至少两个光掩模的光掩模组,每个所述光掩模包括与所述至少两个掩模布局图案中的对应掩模布局图案中所包括的所述第一布局图案对应的掩模图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,准备所述掩模布局包括:使连接所述多个第一布局图案中的彼此相邻的所述三个第一布局图案的所述中心点的三角形为不等边三角形。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,准备所述掩模布局还包括:使所述多个第一布局图案在第一水平方向上排列成行以在所述多个第一布局图案的中心点之间具有底边距离,并在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上排列成Z字形。
4.根据权利要求3所述的方法,其中:
划分所述掩模布局包括:从所述多个第一布局图案中交替地选择在所述第一水平方向上布置的行,并且将所述行分组并划分为多个第一偶数布局图案和多个第一奇数布局图案,并且
形成所述光掩模组包括:形成包括与所述多个第一偶数布局图案对应的多个第一偶数掩模图案的第一光掩模和包括与所述多个第一奇数布局图案对应的多个第一奇数掩模图案的第二光掩模。
5.根据权利要求3所述的方法,其中:
划分所述掩模布局包括:从所述多个第一布局图案中交替地选择在所述第二水平方向上以Z字形布置的行,并且将所述行分组并划分为多个第一偶数布局图案和多个第一奇数布局图案,并且
形成所述光掩模组包括:形成包括与所述多个第一偶数布局图案对应的多个第一偶数掩模图案的第一光掩模和包括与所述多个第一奇数布局图案对应的多个第一奇数掩模图案的第二光掩模。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,划分所述掩模布局包括:交替地选择中心点之间的距离的值大于所述底边距离的行。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述掩模布局还包括在第二区域中彼此间隔开的多个第二布局图案。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
划分所述掩模布局包括:交替地选择所述多个第二布局图案,将所述第二布局图案分组并划分为多个第二偶数布局图案和多个第二奇数布局图案,并且
形成所述光掩模组包括:形成第一光掩模和第二光掩模,以使所述第一光掩模包括与所述多个第二偶数布局图案对应的多个第二偶数掩模图案,并使所述第二光掩模包括与所述多个第二奇数布局图案对应的多个第二奇数掩模图案。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,划分所述掩模布局包括:将所述掩模布局图案分组并划分为所述多个第二偶数布局图案和所述多个第二奇数布局图案,使得所述多个第二偶数布局图案的最小节距和所述多个第二奇数布局图案的最小节距均具有所述多个第二布局图案的最小节距的两倍的值。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,形成所述光掩模组包括:形成具有与所述多个第二布局图案对应的多个第二掩模图案的第一光掩模,并形成不具有所述多个第二掩模图案的第二光掩模。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备