[发明专利]一种过渡金属硫族化合物纳米片水相分散液的制备方法有效
申请号: | 202010687859.X | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111908434B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 马含;吴成;安丰江;廖莎莎 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁;周蜜 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 过渡 金属 化合物 纳米 片水相 分散 制备 方法 | ||
本发明涉及一种过渡金属硫族化合物纳米片水相分散液的制备方法,属于纳米材料技术领域。常温下,将过渡金属硫族化合物晶体微粉与弱碱性物质的水溶液混合,将得到的混合物在超声功率为20‑200W,频率为10‑40KHz下超声2‑20h,然后在500‑5000rpm下离心处理30‑60min,得到剥离后的过渡金属硫族化合物水相混合物;收集上层清液,得到一种过渡金属硫族化合物纳米片的水相分散液。所述方法中,以分解产生气体的弱碱性物质的水溶液作为液相介质,分解产生的气体分子能嵌入过渡金属硫族化合物层片的边缘,有助于提高剥离效率;且得到的纳米片晶体结构未发生改变。
技术领域
本发明涉及一种过渡金属硫族化合物纳米片水相分散液的制备方法,属于纳米材料技术领域。
背景技术
二维过渡金属硫族化合物具有与石墨烯相似的层状结构,层与层之间以较弱的范德华力耦合。与零带隙、高导电性的石墨烯不同,二维过渡金属硫族化合物具有本征的半导体带隙,当其由多层被剥离为单层时,会发生从间接带隙半导体到直接带隙半导体的转变,从而具备极高的载流子迁移率和很高的开关比,在电子器件领域具备广阔的应用前景。
二硒化钼(MoSe2)纳米片是一种典型的二维过渡金属硫族化合物。与化学气相沉积法和微机械剥离法等传统制备方法相比,液相剥离法具备步骤简单、成本低廉等显著优势,是一种很有前景的二硒化钼纳米片制备方法。Coleman等人的研究表明,二维材料的剥离效果取决于溶剂与层状材料之间表面能的匹配程度(Coleman J N,Lotya M,O’Neill A,et al.Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layeredmaterials[J].Science,2011,331(6017):568-571)。由于有机溶剂的表面张力与二硒化钼的匹配程度较高,因而经常被用作剥离溶剂,如N-甲基吡咯烷酮(NMP)(Coleman J N,LotyaM,O’Neill A,et al.Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliationof layered materials[J].Science,2011,331(6017):568-571)。Gerchman等人采用N-甲基吡咯烷酮(NMP)剥离制备了二硒化钼纳米片分散液(Gerchman D,Alves A K.Solution-processable exfoliation and suspension of atomically thin WSe2[J].Journal ofColloid and Interface Science,468(2016):247-252)。然而,这些有机溶剂的毒性较大,容易产生环境污染,并可能对操作人员的身体健康造成损害;沸点高,难挥发,制备的二硒化钼纳米片很容易在溶剂缓慢挥发的过程中产生团聚;成本较高。表面活性剂,如胆酸钠,能够显著降低水的表面张力,使之与二硒化钼晶体的表面张力匹配,实现二硒化钼纳米片在水相中的剥离(Synnatschke K,Cieslik P A,Harvey A,et al.Length-and thickness-dependent optical response of liquid exfoliated transition metaldichalcogenides[J].Chemistry of Materials,31(2019):10049-10062)。专利(CN106966371A)利用含有磷酸根的小分子水溶液制备了二硒化钼纳米片水相分散液。然而,表面活性剂分子与二硒化钼纳米片的结合力较强,难以移除,残留在纳米片表面的分子阻碍了层片之间的电学结合,因而对产品的质量和性能有不利的影响。此外,以有机锂为插层剂,通过超声辅助剥离,可以制备单层二硒化钼纳米片(Mayorga-Martinez C C,AmbrosiA,Eng A Y S,et al.Transition metal dichalcogenides(MoS2,MoSe2,WS2and WSe2)exfoliation technique has strong influence upon their capacitance[J].Electrochemistry Communications,56(2015):24-28)。但有机锂极易燃烧,在使用过程中存在一定的危险性。
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