[发明专利]一种高稳定性单晶硅压力传感器

权利要求书

1.一种高稳定性单晶硅压力传感器，包括压力传感器主体(1)，其特征在于，所述压力传感器主体(1)的外侧设有可变式支撑机构(2)，所述可变式支撑机构(2)包括套环(201)，所述套环(201)的外侧设有多个均匀分布的支撑件(202)，所述套环(201)与支撑件(202)之间连接有可调连接机构(203)；

所述可调连接机构(203)包括第一连接件(204)，所述第一连接件(204)与支撑件(202)固定连接，所述第一连接件(204)内设有滑动连接有第二连接件(205)，所述第二连接件(205)与套环(201)相连接，所述套环(201)内设有置物腔，所述置物腔内填充有非牛顿体(208)。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述第一连接件(204)内设有弹性件(206)，所述弹性件(206)设于第二连接件(205)靠近支撑件(202)的一侧。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述第二连接件(205)位于第一连接件(204)内的侧壁上设有一对限位块(207)。

4.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述第二连接件(205)内设有滑道，所述滑道与置物腔相连通，所述滑道内滑道连接有滑杆(3)，所述滑杆(3)靠近非牛顿体(208)的一端连接有触头(301)，所述触头(301)和滑杆(3)内均开凿有气道(302)。

5.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述支撑件(202)内设有活动腔，所述活动腔内设有气囊(210)。

6.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述压力传感器主体(1)为单晶硅压力传感器，所述压力传感器主体(1)内设有单晶硅芯片，所述单晶硅芯片包括衬底，所述衬底上设有应力硅薄膜，所述应力硅薄膜的两侧均设有玻璃体，所述应力硅薄膜内设有真空腔。

7.根据权利要求6所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述应力硅薄膜的内壁上设有多个高精密半导体应变片，多个所述高精密半导体应变片形成有惠斯顿测量电桥。

8.根据权利要求6所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述衬底的两侧均设有氧化层，所述氧化层设于应力硅薄膜靠近衬底的一侧，所述应力硅薄膜的外侧设有钝化层，所述钝化层生设有金属引线，所述金属引线与高精密半导体应变片相连接。

9.根据权利要求6或8所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，一对所述高精密半导体应变片之间通过金属引线相连通。

10.根据权利要求8所述的一种高稳定性单晶硅压力传感器，其特征在于，所述金属引线为Ta、Pt、Au金属引线。