[发明专利]一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺有效

专利信息
申请号: 202010688599.8 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111826706B 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;王少平 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
主分类号: C25F3/22 分类号: C25F3/22;G01N1/32;G01N23/2005;G01N23/20058;G01N23/203;G01N23/2055
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 王岩
地址: 315400 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 cu 合金 电解 抛光 工艺
【权利要求书】:

1.一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺,其特征在于,所述电解抛光工艺包括如下步骤:

1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的待分析面进行研磨;

2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光;其中,所述电解抛光液为磷酸、乙醇、丙醇、水和尿素的混合物,磷酸、乙醇、丙醇、水和尿素的体积比为(5-10):(3-5):1:(5-10):0.2;

所述电解抛光的电压为20-30V,所述电解抛光的时间为10-30s;

所述电解抛光的电解抛光液是通过导液管导入到待分析面的,所述导液管中电解抛光液的流量为10-30cc/s。

2.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,步骤1)中,所述超高纯Cu或超高纯Cu合金的纯度为99.9999%及以上。

3.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述超高纯Cu合金为超高纯CuAl合金或超高纯CuMn合金。

4.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的晶粒尺寸为1-20μm。

5.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,步骤1)中,所述研磨为机械研磨。

6.根据权利要求5所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述机械研磨采用1000#碳化硅砂纸。

7.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述电解抛光工艺包括如下步骤:

1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材待分析面采用1000#碳化硅砂纸进行机械研磨;

2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光,所述电解抛光液通过导液管导入到待分析面,其中,电解抛光液为磷酸、乙醇、丙醇、水和尿素的混合物,体积比为5:3:1:5:0.2;电解抛光的电压为20-30V,电解抛光的时间为10-30s,导液管中电解抛光液的流量为10-30cc/s。

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