[发明专利]一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺有效
申请号: | 202010688599.8 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN111826706B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;王少平 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C25F3/22 | 分类号: | C25F3/22;G01N1/32;G01N23/2005;G01N23/20058;G01N23/203;G01N23/2055 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 cu 合金 电解 抛光 工艺 | ||
1.一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺,其特征在于,所述电解抛光工艺包括如下步骤:
1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的待分析面进行研磨;
2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光;其中,所述电解抛光液为磷酸、乙醇、丙醇、水和尿素的混合物,磷酸、乙醇、丙醇、水和尿素的体积比为(5-10):(3-5):1:(5-10):0.2;
所述电解抛光的电压为20-30V,所述电解抛光的时间为10-30s;
所述电解抛光的电解抛光液是通过导液管导入到待分析面的,所述导液管中电解抛光液的流量为10-30cc/s。
2.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,步骤1)中,所述超高纯Cu或超高纯Cu合金的纯度为99.9999%及以上。
3.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述超高纯Cu合金为超高纯CuAl合金或超高纯CuMn合金。
4.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的晶粒尺寸为1-20μm。
5.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,步骤1)中,所述研磨为机械研磨。
6.根据权利要求5所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述机械研磨采用1000#碳化硅砂纸。
7.根据权利要求1所述的电解抛光工艺,其特征在于,所述电解抛光工艺包括如下步骤:
1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材待分析面采用1000#碳化硅砂纸进行机械研磨;
2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光,所述电解抛光液通过导液管导入到待分析面,其中,电解抛光液为磷酸、乙醇、丙醇、水和尿素的混合物,体积比为5:3:1:5:0.2;电解抛光的电压为20-30V,电解抛光的时间为10-30s,导液管中电解抛光液的流量为10-30cc/s。
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