[发明专利]MOSFET器件的终端结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010688736.8 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111725300A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 裘三君 | 申请（专利权）人： | 深圳市瑞之辰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙) 44625 | 代理人： | 岳帅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区民治街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 终端 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种MOSFET器件的终端结构，其特征在于，包括设置于所述MOSFET器件芯片外围的一组以上由内而外依次分布的碳化硅沟槽环；
所述碳化硅沟槽环为封闭的环形；
最内侧的所述碳化硅沟槽环与所述芯片的低电位连接；
最外侧的所述碳化硅沟槽环为截止环，所述截止环的电位与所述芯片的划片道连接。
2.一种MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述MOSFET器件的终端结构由碳化硅沟槽环在MOSFET器件芯片外围由内而外依次分布得到，且最内侧的所述碳化硅沟槽环与所述芯片的低电位连接。
3.根据权利要求1或2所述的MOSFET器件的终端结构，其特征在于，
最内侧的所述碳化硅沟槽环设置为一组以上；
最外侧的所述碳化硅沟槽环设置为一组以上；
最内侧所述碳化硅沟槽环与最外侧所述碳化硅沟槽环之间的所述碳化硅沟槽环设置为一组以上。
4.根据权利要求1-3任一项所述的MOSFET器件的终端结构，其特征在于，最内侧的所述碳化硅沟槽环设置在靠近栅极金属一侧。
5.根据权利要求1-3任一项所述的MOSFET器件的终端结构，其特征在于，最外侧的所述碳化硅沟槽环设置在靠近所述划片道一侧。
6.根据权利要求1-3任一项所述的MOSFET器件的终端结构，其特征在于，所述碳化硅沟槽环为门极碳化硅沟槽环，且在所述门极碳化硅沟槽环至少环绕其芯片一圈。
7.一种MOSFET器件的终端结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将MOSFET器件芯片的低电位与最内侧碳化硅沟槽环连接，然后由内而外依次分布碳化硅沟槽环，最外侧的所述碳化硅沟槽环与所述芯片的划片道连接；
其中，所述碳化硅沟槽环为封闭的环形。
8.根据权利要求7所述的终端结构的制备方法，其特征在于，与所述芯片的低电位连接的所述碳化硅沟槽环为一组以上，与所述芯片划片道连接的所述碳化硅沟槽环为一组以上。
9.根据权利要求7或8所述的终端结构的制备方法，其特征在于，所述碳化硅沟槽环为门极碳化硅沟槽环，且在所述门极碳化硅沟槽环至少环绕其芯片一圈。
10.权利要求1-6任一项所述的终端结构在MOSFET器件上的应用。
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