[发明专利]一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：

准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；

在所述衬底上旋涂空穴注入层；

在所述空穴注入层上旋涂TFB/AuNPS/TFB叠层结构；

在所述TFB/AuNPS/TFB叠层结构上旋涂量子点发光层；

在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；

在所述电子传输层上制作阴极电极。

2.根据权利要求1所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上旋涂空穴注入层，具体包括：

在所述衬底上悬滴PEDOT:PSS溶液，并旋涂至溶液成膜，形成所述空穴注入层。

3.根据权利要求2所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，在所述形成所述空穴注入层的步骤中，还包括：

将所述空穴注入层与所述衬底形成的基片边缘的电极裸露，形成第一辅助电极。

4.根据权利要求1所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述在所述空穴注入层上旋涂TFB/AuNPS/TFB叠层结构，具体包括：

在所述空穴注入层上悬滴TFB溶液，并旋涂至溶液成膜，形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上旋涂AuNPS，形成金属纳米粒子层；

在所述金属纳米粒子层上再次悬滴TFB溶液，并旋涂至溶液成膜，形成间隔层；

所述空穴传输层、所述金属纳米粒子层、所述间隔层形成所述TFB/Au NPS/TFB叠层结构。

5.根据权利要求4所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述旋涂AuNPS，形成金属纳米粒子层的转速为2000rpm。

6.根据权利要求4所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述形成间隔层的转速为3000rpm。

7.根据权利要求1所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上旋涂电子传输层，具体为：

在所述量子点发光层上滴加ZnO NPs溶液，形成所述电子传输层。

8.根据权利要求5所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，在所述形成所述电子传输层的步骤中，还包括：

将样品边缘的电极裸露，形成第二辅助电极。

9.根据权利要求1所述的新型量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述衬底选用ITO玻璃基片。

10.一种新型量子发光二极管，其特征在于，所述新型量子发光二极管包括：衬底，所述衬底作为阳极电极层，设置在所述衬底上的空穴注入层，设置在所述空穴注入层上的TFB/Au NPS/TFB叠层结构，设置在所述TFB/Au NPS/TFB叠层结构上的量子点发光层，设置在所述量子点发光层上的电子传输层，设置在所述电子传输层上的阴极电极。