[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

堆叠结构，所述堆叠结构在联接区域中包括在第一基板上方与多个第二介电层交替堆叠的多个第一介电层，并且在所述联接区域外部包括在所述第一基板上方与所述多个第一介电层交替堆叠的多个电极层；以及

多个通孔，所述多个通孔在垂直于所述第一基板的顶表面的第一方向上穿过所述堆叠结构，并且设置在所述联接区域的边缘处以限定蚀刻阻挡部，

所述多个通孔中的每一个包括：

柱部分，所述柱部分在所述第一方向上延伸；以及

多个延伸部分，所述多个延伸部分从所述柱部分的外周径向延伸并且平行于所述第一基板的所述顶表面，所述多个延伸部分分别与所述多个第二介电层位于相同的层中。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，相邻的所述通孔的所述柱部分以第一间隔彼此间隔开，并且所述相邻的所述通孔的所述延伸部分彼此接触。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，相邻的所述通孔的所述柱部分以第一间隔彼此间隔开，并且所述相邻的所述通孔的所述延伸部分以小于所述第一间隔的第二间隔彼此间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述通孔设置在所述联接区域的所有边缘处。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

多个狭缝，所述多个狭缝在第二方向上延伸并且在第三方向上间隔开以划分所述堆叠结构，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向彼此垂直，

其中，在两个相邻的所述狭缝之间，所述多个通孔设置在所述联接区域的沿所述第二方向延伸并且沿所述第三方向间隔开的边缘处，并且

其中，所述通孔不设置在所述联接区域的沿所述第三方向延伸并且沿所述第二方向间隔开的边缘处。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，在所述两个相邻的所述狭缝之间，所述多个通孔被设置为在所述第二方向上延伸的一对通孔行。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，所述联接区域的没有所述通孔的边缘被设置为在所述第二方向上朝向所述联接区域的中央远离所述通孔行的端部。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述蚀刻阻挡部包括相对于所述第二介电层具有蚀刻选择性的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个通孔的所述柱部分和所述延伸部分由相同的材料制成。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述柱部分包括单一材料。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

接触插塞，所述接触插塞在所述联接区域中在所述第一方向上穿过所述堆叠结构。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个通孔和所述接触插塞包括相同的材料。

13.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述柱部分包括：

第一层，所述第一层由第一材料形成并且具有中央区域开放的圆柱形壳体的形状；以及

第二层，所述第二层设置在所述第一层的开放的所述中央区域中，并且由与所述第一材料不同的第二材料形成。

14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述第一层包括介电材料，并且所述第二层包括导电材料。

15.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

接触插塞，所述接触插塞由所述第二材料形成，并且在所述联接区域中在所述第一方向上穿过所述堆叠结构。