[发明专利]半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法

权利要求书

1.半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤(1)，干冰喷砂，去除表面的残留物或沉积物；

步骤(2)，热水浸泡，通过润湿硅电极表面附着物，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；

步骤(3)，有机溶液浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；

步骤(4)，混合酸溶液刻蚀，氧化并刻蚀硅电极表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；

步骤(5)，碱溶液刻蚀，微刻蚀硅电极表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；

步骤(6)，超声波清洗，超纯水冲洗并干燥。

2.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(1)中，将硅电极进行干冰微粒喷射冲洗，所采用的气压力为0.3-0.9Mpa，出冰量为0.1-1kg/min，持续喷射10-30分钟。

3.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(2)中，将硅电极放入热水槽，热水温度65-85℃，热水浸泡时间15-40分钟。

4.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(3)中，将硅电极放入有机溶剂槽，溶液温度20-38℃，浸泡时间15-40分钟，纯水冲洗去除残留药液；

有机溶剂为选自乙醇、异丙醇、丙酮中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(4)中，将硅电极放入混合酸槽，溶液温度20-38℃，浸泡时间10-150秒，纯水冲洗去除残留药液。

6.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(4)中，混合酸槽的每种原料的体积百分比分别为：硝酸20％-35％、氢氟酸10％-50％、醋酸30％-60％；所述硝酸浓度为69％，所述氢氟酸浓度为49％，所述醋酸浓度为99.8％。

7.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(5)中，将硅电极放入碱溶液槽，溶液温度20-38℃，浸泡时间20-60秒，纯水冲洗去除残留药液。

8.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(5)中碱溶液的每种原料的重量百分比分别为：氢氧化钾0.1-3％，其余为纯水；纯水为电阻率大于6MΩ的去离子水。

9.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：步骤(6)中，将硅电极进行超声波清洗，超声波槽中超纯水温度20-50℃，超声波频率为40-80KHz，超声波清洗时间为10-30min，而后超纯水冲洗并用0.1微米的过滤氮气吹干。

10.根据权利要求1所述的半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法，其特征在于：所述步骤(6)中，超纯水为电阻率大于18MΩ的去离子水。