[发明专利]像素驱动电路及显示面板

说明书

本申请提供一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路采用3T2C结构，在对第一节点预充电将其电位置为第一电位后，利用当前行栅极输出信号G(n)通过第一电容将第一节点的电位为从第一电位提升为第二电位，再利用数据信号通过第二电容将第一节点的电位从第二电位提升至第三电位，并且使第三电位大于当前行栅极输出信号G(n)的高电位而使第一晶体管T1打开并向液晶电容写入数据。由于该像素驱动电路可以使第一晶体管T1的栅极准位提升至大于当前行栅极输出信号G(n)的高电位的电位，因此提升了原栅极准位，使第一晶体管T1的驱动能力更强，因此能够满足高频时需要快速充电的要求，能适用于动态帧频技术。

技术领域

本申请实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。

背景技术

目前的显示技术要求同时适用于高频和低频的情况，以使显示面板不仅具有高频带来的画质流畅的优点，还具有低频带来的低功耗的优点，因此，动态帧频技术应运而生，该技术可以实时调节显示面板的刷新频率，由此同时满足超低频和超高频的显示需求。对于低频的显示需求，由于低频状态每帧画面的 holding时间延长为原先的数十倍，因此要求显示面板的画面Holding能力强；对于高频的显示需求，由于每行像素的充电时间极短，因此需要显示面板的充电能力强，并且，如果用高刷新率显示静止或速度较低的物体影像，反而会造成显示面板逻辑功耗过高的问题。

传统的背板技术有A-Si、LTPS、IGZO技术，与a-Si(非晶硅)技术相比， LTPS(低温多晶硅)和IGZO(氧化铟镓锌)两种技术由于迁移率较高而被广泛应用。其中，由于LTPS技术比IGZO技术的迁移率更高、件所占面积更小，因此充电能力更强，更适合于高频时的应用；而IGZO技术比LTPS技术的均匀性更好、漏电流较小，因此更加省电、画面holding能力更强，更适合于低频时的应用。可以理解的是，传统的背板技术由于技术的单一性，导致性能优点的单一性，无法满足动态帧频的需求。

而复合型的LTPO(低温多晶氧化物)技术由于结合了LTPS和IGZO两种技术的优点，使得显示面板同时具有强充电能力和低功耗的特点，同时满足高频和低频的使用需求，因此LTPO技术适用于动态帧频技术的需求，能达到提升用户视觉体验并且优化功耗的目的。

但是如前所述，由于IGZO较LTPO的迁移率低，因此在高频时由于充电时间较短，IGZO往往会存在充电准位不够的问题，所以需要将IGZO的充电电流提升，在较短的充电时间内达到充电准位。目前在IGZO有源层上提升充电电流有两种方式：第一种是增加薄膜晶体管TFT的宽长比，但是这种方法会使薄膜晶体管TFT的尺寸较大、占用空间过多，导致显示面板开口率降低的问题；第二种是增加显示面板的所有薄膜晶体管TFT的栅源极电压差Vgs，但是这种方法会使得所有薄膜晶体管TFT受到的应力Stress增而使得薄膜晶体管TFT容易老化，从而影响驱动电路整体的稳定性，即不仅影响外围驱动电路的稳定性，还影响AA区驱动电路的稳定性。

参考图1，图1为现有的2T1C结构的像素驱动电路图，该电路采用1T2C 电路，包括驱动开关T10、存储电容Cst、液晶电容Clc，其中，驱动开关T10 的栅极的输入为当前行栅极输出信号G(n)，漏极与存储电容Cst和液晶电容 Clc的一端电性连接，源极与数据线电性连接。当前行栅极输出信号G(n)送入信号控制驱动开关T10的开关，当T10打开时数据线将液晶电容Clc和存储电容Cst充电到所需要的的电压后T10关闭，存储电容Cst放电来维持液晶电容Clc的电压保持到下一次更新。该1T2C电路工作时，由于驱动开关T10只能是单一类型的TFT，而每种TFT都有其优点和缺点，在动态帧频技术中如果将其既应用于LTPS又应用于IGZO，则在高频时很可能不能满足需要提高IGZO 的充电电流的要求。

因此，如何用较高的电压驱动IGZO来提高IGZO的充电电流，同时保证显示面板的驱动电路整体的稳定性，成为目前亟待解决的问题。

发明内容