[发明专利]变频器处理方法及装置在审
申请号: | 202010691083.9 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN111814211A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 李永利;肖国付;曹振涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市易驱电气有限公司 |
主分类号: | G06F21/79 | 分类号: | G06F21/79;G06F11/07 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛娇 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变频器 处理 方法 装置 | ||
1.一种变频器的处理方法,其特征在于,应用于变频器的主控芯片,所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域,所述方法包括:
在所述变频器工作过程中,于RAM存储区域缓存最新功能码参数;
在所述变频器工作过程中,持续监测所述变频器是否发生断电操作;
若监测到所述变频器发生断电操作,则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数,存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述变频器工作过程中,于RAM存储区域缓存最新功能码参数,包括:
在所述变频器上电后,从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数;
缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中,擦除所述第一存储区域;
在所述变频器工作过程中重复执行:接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域;
在所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中,擦除所述第一存储区域之前,还包括:
校验所述已有功能码参数的完整性;
在所述已有功能码参数完整的情况下,并将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中,并执行所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中,擦除所述第一存储区域的步骤;
在所述已有功能码参数不完整的情况下,从所述第二存储区域中获取已有功能码参数,并执行所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中,擦除所述第一存储区域的步骤。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述变频器工作过程中,持续监测所述变频器是否发生断电操作,包括:
监测所述变频器的直流信号;
在所述直流信号小于预设值的情况下,确定所述变频器发生断电操作。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,在确定所述变频器发生断电操作后,还包括:
在所述变频器断电过程中,持续监测所述变频器的直流信号;
在所述直流信号不小于预设值的情况下,则确定所述变频器未失电;
不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数,存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤;
擦除所述第一存储区域。
6.一种变频器的处理装置,其特征在于,应用于变频器的主控芯片,所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域,所述装置包括:
更新单元,用于在所述变频器工作过程中,于RAM存储区域缓存最新功能码参数;
监测单元,用于在所述变频器工作过程中,持续监测所述变频器是否发生断电操作;
存储单元,用于若监测到所述变频器发生断电操作,则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数,存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述更新单元,包括:
第一获取单元,用于在所述变频器上电后,从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数;
缓存单元,用于缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中,擦除所述第一存储区域;
重复更新单元,用于在所述变频器工作过程中重复执行:接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
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